[實用新型]陣列基板及包括該陣列基板的顯示裝置

有效

• 申請號: 201821680371.9
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN208848909U
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 楊維
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

1.一種陣列基板，包括襯底以及形成在所述襯底上的低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管，其中所述氧化物薄膜晶體管為頂柵結構，包括第一有源層、第一柵極、第一源漏極和第一過孔，其特征在于，

所述第一有源層對應所述第一過孔的區域覆蓋有導電保護部，第一源漏極通過第一過孔與所述導電保護部連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導電保護部在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一過孔在所述襯底上的正投影。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導電保護部與所述第一柵極同層設置。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管的第一有源層與第一柵極間形成有第一柵絕緣層，所述第一柵絕緣層的寬度大于所述第一柵極的寬度。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括第二有源層、第二過孔、通過第二過孔與所述第二有源層連接的第二源漏極以及形成于所述第二有源層上方的第二柵極和第三柵極。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第三柵極與所述氧化物薄膜晶體管的所述導電保護部和所述第一柵極同層設置。

7.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第三柵極與所述氧化物薄膜晶體管的所述導電保護部和所述第一柵極的材料相同。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管的第一有源層的材料為氧化銦錫鋅、氧化銦鎵、氧化銦鎵鋅、氧化銦鎢、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵鋅、氧化鋅錫中的一種。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-8任一權利要求所述的陣列基板。