[實用新型]一種存儲器件

有效

• 申請號: 201821675121.6
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN209357755U
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: 葉建國
• 申請（專利權）人: 葉建國
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 范芳茗;劉靜

本申請提供一種存儲器件及其制作方法，該存儲器件為采用柔性襯底的有機無鉛鐵電聚合物采用有機無鉛鐵電P(VDF?TrFE)/Re1?xLexMnO3復合薄膜的復合薄膜透明阻變存儲器，包括襯底、第一電極、阻變層、鐵電調控層和第二電極。本申請采用鐵電調控層加阻變層的復合薄膜以獲得高性能的電阻轉變特性，無需施加外磁場，達到信息存儲的“鐵電場非易失性高密度存儲”，得到便攜、環保、讀寫壽命長、穩定性好、低功耗、可快速讀寫、鐵電場非易失性控制及具有高存儲密度的全透明的柔性存儲器件。

技術領域

本實用新型涉及微電子技術領域，具體地涉及一種鐵電場調控復合薄膜的阻變式存儲器及其制造方法。

背景技術

傳統微電子器件采用較硬的硅基板或平面玻璃，產品形狀固定而堅硬，雖然有利于保護電子元器件，使其在使用中不會輕易損壞，但不可避免地制約了產品的延展性、柔韌性以及產品開發的靈活性和應用范圍。

目前，非易失性存儲器的研究方向有鐵電存儲器(FRAM)﹑磁存儲器(MRAM)、相變存儲器(PRAM)和阻變存儲器(RRAM)。在傳統存儲設備中，磁存儲器(MRAM)主要是利用其磁化狀態來記錄數據中的“0”和“1”，磁記錄以其易于讀取、穩定且抗疲勞性好的諸多優點，成為現代信息存儲技術的主流，但其存儲密度的限制和寫入困難一直是磁存儲技術所面臨的難題，盡管基于隧穿磁電阻效應(TMR)的MRAM也在不斷研發和改進中，但仍然難以克服寫入過程中大電流帶來的熱效應和高功耗等缺點。

有鑒于此，設計一種具有柔性襯底、存儲密度大、讀寫速度快且能耗低易于實現三維立體集成和多值存儲的存儲器件及該存儲器件的制作方法是本實用新型所要解決的技術問題。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供一種高密度信息存儲器件，以解決現有技術中柔韌性不足，存儲密度低，讀寫速度慢，能耗高等問題。

一方面，本實用新型提供一種存儲器件，包括：

一種存儲器件，其特征在于，包括：

襯底，用于承載所述存儲器件，所述襯底為柔性襯底；

第一電極，所述第一電極形成于所述襯底上；

阻變層，形成于所述第一電極上，用于產生電場；

調控層，位于所述阻變層上，所述調控層通過電場對所述阻變層進行調控，控制阻變層的電阻轉變；

第二電極，所述第二電極形成于所述調控層上。

優選地，所述存儲器件為全透明結構，阻變層具有高阻態和低阻態兩種狀態，阻變比不小于10³，阻變保持時間不小于10s。

優選地，第一電極和所述阻變層均為十字形，所述第二電極邊緣小于所述調控層邊緣。

優選地，襯底材料為聚醚砜PES、聚對苯二甲酸乙二醇酯PI、聚乙烯對苯二酸脂PET、聚二甲基硅氧PDMS和聚丙烯己二酯PPA中的至少一種。

優選地，第一電極的材料為ITO、ZnO、Pt、Ta、W、Bi、Pd中的至少一種，其厚度為3nm至8nm。

優選地，第二電極的材料為ITO、ZnO、Pt、Ta、W、Bi、Pd中的至少一種，其厚度為20nm至120nm。

優選地，阻變層的材料為RE_1-xCa_xMnO₃、RE_1-xSr_xMnO₃、LaNiO₃、SrRuO₃中的至少一種，其厚度為3nm至200nm。