[實用新型]一種存儲器件有效
| 申請號： | 201821675121.6 | 申請日： | 2018-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN209357755U | 公開（公告）日： | 2019-09-06 |
| 發明（設計）人： | 葉建國 | 申請（專利權）人： | 葉建國 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人： | 范芳茗;劉靜 |
| 地址： | 063100 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器件 復合薄膜 電場 非易失性 調控層 阻變層 襯底 讀寫 鐵電 透明阻變存儲器 電阻轉變特性 高密度存儲 柔性存儲器 第二電極 第一電極 電聚合物 信息存儲 低功耗 全透明 外磁場 便攜 申請 存儲 施加 制作 環保 | ||
1.一種存儲器件，其特征在于，包括：
襯底，用于承載所述存儲器件，所述襯底為柔性襯底；
第一電極，所述第一電極形成于所述襯底上；
阻變層，形成于所述第一電極上，用于產生電場；
調控層，位于所述阻變層上，所述調控層通過電場對所述阻變層進行調控，控制阻變層的電阻轉變；
第二電極，所述第二電極形成于所述調控層上。
2.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述存儲器件為全透明結構，所述阻變層具有高阻態和低阻態兩種狀態。
3.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述第一電極和所述阻變層均為十字形。
4.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述襯底材料為聚醚砜PES、聚對苯二甲酸乙二醇酯PI、聚乙烯對苯二酸脂PET、聚二甲基硅氧PDMS和聚丙烯己二酯PPA中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述第一電極的材料為ITO、ZnO、Pt、Ta、W、Bi、Pd中的至少一種，其厚度為3nm至8nm。
6.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述第二電極的材料為ITO、ZnO、Pt、Ta、W、Bi、Pd中的至少一種，其厚度為20nm至120nm。
7.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述阻變層的材料為RE1-xCaxMnO3、RE1-xSrxMnO3、RE1-xLexMnO3、LaNiO3、SrRuO3中的至少一種，其厚度為3nm至200nm。
8.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述調控層的材料為有機鐵電聚合物聚偏氟乙烯PVDF、聚偏氟-三氟乙烯PVDF-TrFE、單相有機-無機鈣鈦礦壓電體TMCM-MnCl3、三溴合銣酸二銨(AP)RbBr3中的至少一種，其厚度為10nm至120nm。
9.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述阻變層通過脈沖激光沉積而成。
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