[實用新型]一種基于肖特基勢壘的場檢測器

有效

• 申請號: 201821674167.6
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN208738305U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型涉及一種基于肖特基勢壘的場檢測器,包括襯底層,襯底層的上方設置有第一電極層，第一電極層的上方設置有有機材料，有機材料的上方設置有第二電極層，有機材料靠近第二電極層的一端內部設置有多個周期排列的填充孔，該填充孔內部填充有磁致伸縮材料,該基于肖特基勢壘的場檢測器，擴展了肖特基結的功能，通過在有機材料中設置填充孔，在填充孔中填充對磁場、電場、溫度等比較敏感的材料，通過對應的場來影響所填充的材料，由于材料特性發生改變，從而使得有機材料內部的載流子分布發生改變，進而影響到第二電極層與有機材料之間肖特基結的肖特基勢壘發生變化，通過外接電源檢測肖特基勢壘的變化，來檢測的未知場的特性。

技術領域

本發明涉及光電探測器技術領域，具體涉及一種基于肖特基勢壘的場檢測器。

背景技術

肖特基結是一種簡單的金屬與半導體的交界面，它與PN結相似，具有非線性阻抗特性。1938年德國的W.H.肖特基提出理論模型，對此特性作了科學的解釋，故后來把這種金屬與半導體的交界面稱為肖特基結或肖特基勢壘。半導體的逸出功一般比金屬的小，故當金屬與半導體(以N型為例)接觸時,電子就從半導體流入金屬，在半導體表面層內形成一個由帶正電不可移動的雜質離子組成的空間電荷區,在此區中存在一個由半導體指向金屬的電場，猶如筑起了一座高墻，阻止半導體中的電子繼續流入金屬。

目前肖特基結是作為電路中的二極管進行使用，可用于制作各種微波二極管，如利用正向電流－電壓的非線性制成的變阻管，可用于微波檢波和混頻；利用正向低導通特性制成箝位管；利用反向偏置勢壘特性可制成雪崩二極管、光敏管等；利用反向電容－電壓特性制成變容二極管，如砷化鎵肖特基變容管用于參量放大器、電調諧等。

然而,肖特基結電荷儲存效應小，反向恢復時間很短等特性，還有很多功能有待發掘使用。

發明內容

針對上述問題，本發明的目的是發掘肖特基結新的功能，將肖特基結應用于場檢測的功能。

為此，本發明提供了一種基于肖特基勢壘的場檢測器,包括襯底層,所述襯底層的上方設置有第一電極層，所述第一電極層的上方設置有有機材料，所述有機材料的上方設置有第二電極層，所述有機材料靠近第二電極層的一端內部設置有多個周期排列的填充孔，該填充孔內部填充有磁致伸縮材料。

所述填充孔與有機材料上表面的距離為200nm～4μm。

所述填充孔的間距為2μm～10μm。

所述填充孔的大小為1μm～5μm。

所述填充孔內還可填充電場致伸縮材料。

所述填充孔內還可填充形狀記憶合金。

所述填充孔的形狀為長方形、橢圓形、圓形。

本發明的有益效果：本發明提供的這種基于肖特基勢壘的場檢測器，擴展了肖特基結的功能，通過在有機材料中設置填充孔，在填充孔中填充對磁場、電場、溫度等比較敏感的材料，通過對應的場來影響所填充的材料，由于材料特性發生改變，從而使得有機材料內部的載流子分布發生改變，進而影響到第二電極層與有機材料之間肖特基結的肖特基勢壘發生變化，通過外接電源檢測肖特基勢壘的變化，來檢測的未知場的特性，該基于肖特基勢壘的場檢測器不僅結構簡單，而且擴展了肖特基結的功能，使用方便，操作簡單。

以下將結合附圖對本發明做進一步詳細說明。

附圖說明

圖1是基于肖特基勢壘的場檢測器結構示意圖。

圖2是填充孔形狀視圖一。

圖3是填充孔形狀視圖二。

圖中：1、襯底層；2、第一電極層；3、有機材料；4、第二電極層；5、填充孔。

具體實施方式