[實(shí)用新型]一種基于肖特基勢壘的場檢測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821674167.6 | 申請日： | 2018-10-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN208738305U | 公開（公告）日： | 2019-04-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 中山科立特光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L51/42 | 分類號(hào)： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528458 廣東省中*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 有機(jī)材料 肖特基勢壘 填充孔 場檢測器 第二電極 第一電極 肖特基結(jié) 襯底層 填充 載流子 磁致伸縮材料 外接電源檢測 本實(shí)用新型 材料特性 內(nèi)部設(shè)置 內(nèi)部填充 周期排列 電場 磁場 敏感 檢測 | ||
1.一種基于肖特基勢壘的場檢測器,包括襯底層(1)，所述襯底層(1)的上方設(shè)置有第一電極層(2)，所述第一電極層(2)的上方設(shè)置有有機(jī)材料(3)，所述有機(jī)材料(3)的上方設(shè)置有第二電極層(4)，其特征在于：所述有機(jī)材料(3)靠近第二電極層(4)的一端內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)周期排列的填充孔(5)，該填充孔(5)內(nèi)部填充有磁致伸縮材料。
2.如權(quán)利要求1所述的一種基于肖特基勢壘的場檢測器，其特征在于：所述填充孔(5)與有機(jī)材料(3)上表面的距離為200nm～4μm。
3.如權(quán)利要求1所述的一種基于肖特基勢壘的場檢測器，其特征在于：所述填充孔(5)的間距為2μm～10μm。
4.如權(quán)利要求1所述的一種基于肖特基勢壘的場檢測器，其特征在于：所述填充孔(5)的大小為1μm～5μm。
5.如權(quán)利要求1所述的一種基于肖特基勢壘的場檢測器，其特征在于：所述填充孔(5)內(nèi)還可填充電場致伸縮材料。
6.如權(quán)利要求1所述的一種基于肖特基勢壘的場檢測器，其特征在于:所述填充孔(5)內(nèi)還可填充形狀記憶合金。
7.如權(quán)利要求1或2或3或4或5或6所述的一種基于肖特基勢壘的場檢測器，其特征在于：所述填充孔(5)的形狀為長方形、橢圓形、圓形。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
