[實用新型]一種干法刻蝕設備的傳送模組

有效

• 申請號: 201821658021.2
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN208738206U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 薛強;劉世振;劉家樺;葉日銓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01J37/32
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本實用新型提供了一種干法刻蝕設備的傳送模組，在傳送模組中鋪設靜電吸附裝置，當晶圓送入本模組時，靜電吸附裝置施加靜電，吸附晶圓正反面的附著顆粒，當晶圓離開本模組后，靜電吸附裝置中和靜電，顆粒散落后經下方抽氣管道抽走。另外還可加入擾流氣體，提升清除顆粒物的效果。發明人發現，應用本實用新型提出的結構可有效減少顆粒污染，提高產品良率，減少晶圓背面顆粒引發的設備故障，例如背氦報警、傳送位置偏離等，可提高設備生產率。

技術領域

本實用新型屬于半導體領域，特別涉及一種干法刻蝕設備的傳送模組。

背景技術

目前，干法刻蝕設備的傳送模組中均沒有除塵的功能，晶圓從前道制程所攜帶的污染顆粒以及在搬送過程中沾染的顆粒物，將會被帶入下一步刻蝕設備中，從而存在污染本道制程的風險。

因此需要提出一種可以在晶圓進入真空環境前，對其攜帶的污染顆粒進行預處理的干法刻蝕設備傳送模組。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提出一種干法刻蝕設備的傳送模組，用于解決現有技術中由于干法刻蝕設備的傳送模組中均沒有除塵的功能，晶圓從前道制程所攜帶的污染顆粒以及在搬送過程中沾染的顆粒物，將會被帶入下一步刻蝕設備中，從而存在污染本道制程的風險的問題。

為了解決上述問題，本實用新型提供一種干法刻蝕設備的傳送模組，包括傳送裝置、模組本體以及靜電吸附裝置，所述模組本體具有一腔室空間，所述傳送裝置用于傳送一晶圓穿過所述腔室空間，所述靜電吸附裝置設置于所述腔室空間內，并用于吸附所述晶圓上的顆粒雜物。

可選的，所述靜電吸附裝置數量為多個，所述多個靜電吸附裝置設置在所述腔室空間的內壁上。

可選的，所述腔室空間包括與所述晶圓所在平面平行的第一內壁以及第二內壁，所述多個靜電吸附裝置包括第一靜電吸附裝置以及第二靜電吸附裝置；

所述第一靜電吸附裝置布置在所述第一內壁上，所述第二靜電吸附裝置布置在所述第二內壁上。

可選的，所述模組本體包括抽氣管道以及進氣管道，所述抽氣管道與所述腔室空間連通并用于對所述腔室空間進行抽真空；所述進氣管道與所述腔室空間連通并用于對所述腔室空間內進行充氣，以實現所述腔室空間內氣壓轉換。

可選的，所述腔室空間包括多個進氣端，所述多個進氣端分別設置在所述腔室空間內部，所述多個進氣端用于對所述腔室空間內輸送擾流氣體。

可選的，所述擾流氣體為氮氣。

可選的，所述擾流氣體為氬氣。

可選的，所述靜電吸附裝置包括靜電吸附網格板。

可選的，所述靜電吸附網格板與所述腔室空間的內壁之間留有間隙。

可選的，所述靜電吸附網格板與所述腔室空間的內壁之間可拆卸連接。

本實用新型提供一種干法刻蝕設備的傳送模組，在傳送模組中鋪設靜電吸附裝置，當晶圓送入本模組時，靜電吸附裝置施加靜電，吸附晶圓正反面的附著顆粒，當晶圓離開本模組后，靜電吸附裝置中和靜電，顆粒散落后經下方抽氣管道抽走。另外還可加入擾流氣體，提升清除顆粒物的效果。發明人發現，應用本實用新型提出的結構可有效減少顆粒污染，提高產品良率，減少晶圓背面顆粒引發的設備故障(例如背氦報警、傳送位置偏離等)，可提高設備生產率。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例一提供的一種干法刻蝕設備的傳送模組示意圖；

圖2為本實用新型實施例一提供的另一種干法刻蝕設備的傳送模組示意圖；

圖3為本實用新型實施例二提供的一種干法刻蝕設備的傳送模組示意圖；