[實(shí)用新型]一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821658021.2
• 申請(qǐng)日: 2018-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN208738206U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛強(qiáng);劉世振;劉家樺;葉日銓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/677
• 分類號(hào): H01L21/677;H01J37/32
• 代理公司: 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組，其特征在于，包括傳送裝置、模組本體以及靜電吸附裝置，所述模組本體具有一腔室空間，所述傳送裝置用于傳送一晶圓穿過所述腔室空間，所述靜電吸附裝置設(shè)置于所述腔室空間內(nèi)，并用于吸附所述晶圓上的顆粒雜物。

2.如權(quán)利要求1所述的一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組，其特征在于，所述靜電吸附裝置數(shù)量為多個(gè)，所述多個(gè)靜電吸附裝置設(shè)置在所述腔室空間的內(nèi)壁上。

3.如權(quán)利要求2所述的一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組，其特征在于，所述腔室空間包括與所述晶圓所在平面平行的第一內(nèi)壁以及第二內(nèi)壁，所述多個(gè)靜電吸附裝置包括第一靜電吸附裝置以及第二靜電吸附裝置；

所述第一靜電吸附裝置布置在所述第一內(nèi)壁上，所述第二靜電吸附裝置布置在所述第二內(nèi)壁上。

4.如權(quán)利要求1所述的一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組，其特征在于，所述模組本體包括抽氣管道以及進(jìn)氣管道，所述抽氣管道與所述腔室空間連通并用于對(duì)所述腔室空間進(jìn)行抽真空；所述進(jìn)氣管道與所述腔室空間連通并用于對(duì)所述腔室空間內(nèi)進(jìn)行充氣，以實(shí)現(xiàn)所述腔室空間內(nèi)氣壓轉(zhuǎn)換。

5.如權(quán)利要求4所述的一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組，其特征在于，所述腔室空間包括多個(gè)進(jìn)氣端，所述多個(gè)進(jìn)氣端分別設(shè)置在所述腔室空間內(nèi)部，所述多個(gè)進(jìn)氣端用于對(duì)所述腔室空間內(nèi)輸送擾流氣體。

6.如權(quán)利要求5所述的一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組，其特征在于，所述擾流氣體為氮?dú)狻?/p>

7.如權(quán)利要求5所述的一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組，其特征在于，所述擾流氣體為氬氣。

8.如權(quán)利要求1所述的一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組，其特征在于，所述靜電吸附裝置包括靜電吸附網(wǎng)格板。

9.如權(quán)利要求8所述的一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組，其特征在于，所述靜電吸附網(wǎng)格板與所述腔室空間的內(nèi)壁之間留有間隙。

10.如權(quán)利要求9所述的一種干法刻蝕設(shè)備的傳送模組，其特征在于，所述靜電吸附網(wǎng)格板與所述腔室空間的內(nèi)壁之間可拆卸連接。