[實用新型]一種新型光刻版有效
| 申請號: | 201821656828.2 | 申請日: | 2018-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN208922055U | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發明(設計)人: | 馬祖光;郭光輝 | 申請(專利權)人: | 濟南晶碩電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/72 | 分類號: | G03F1/72;G03F7/20 |
| 代理公司: | 濟南瑞宸知識產權代理有限公司 37268 | 代理人: | 徐健 |
| 地址: | 250217 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 階梯邊緣 光刻版 光刻 規則圖形 梯形邊緣 防漏電 圖像區 漏電 邊緣位置 打火現象 正常圖形 重新設計 對位 刻版 對稱 | ||
本實用新型公開了一種新型光刻版,包括光刻版本體;所述的光刻版本體設有光刻圖像區,光刻圖像區邊緣設有防漏電結構,所述的防漏電結構為梯形邊緣,梯形邊緣設有最高邊緣,最高邊緣兩端設有對稱的階梯邊緣,分別為左側階梯邊緣和右側的階梯邊緣,左側階梯邊緣和右側階梯邊緣形狀、結構相互對位鏡像。通過對光刻版圖形重新設計,在最邊緣位置原有圖形的基礎上,增加一規則圖形。通過增加的規則圖形,避免了光刻版中正常圖形邊緣一圈造成的漏電打火現象。
技術領域
本實用新型涉及工業生產設備領域,確切地說是一種新型光刻版。
背景技術
根據原有光刻版設計的圖形,在實際生產中,非常突出的表現為最邊緣一圈芯片,在測試探針臺上進行電性測試時,極其容易出現漏電打火現象,造成最邊緣一圈芯片電性不良,良品率明顯降低,增加生產成本。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是根據原有光刻版設計的圖形,在實際生產中,非常突出的表現為最邊緣一圈芯片,在測試探針臺上進行電性測試時,極其容易出現漏電打火現象,造成最邊緣一圈芯片電性不良,良品率明顯降低,增加生產成本。
為解決上述技術問題,本實用新型采用如下技術手段:
一種新型光刻版,包括光刻版本體;所述的光刻版本體設有光刻圖像區,光刻圖像區邊緣設有防漏電結構,所述的防漏電結構為梯形邊緣,梯形邊緣設有最高邊緣,最高邊緣兩端設有對稱的階梯邊緣,分別為左側階梯邊緣和右側的階梯邊緣,左側階梯邊緣和右側階梯邊緣形狀、結構相互對位鏡像。通過對光刻版圖形重新設計,在最邊緣位置原有圖形的基礎上,增加一規則圖形。通過增加的規則圖形,避免了光刻版中正常圖形邊緣一圈造成的漏電打火現象。
作為優選,本實用新型更進一步的技術方案是:
所述的光刻版本體設有支撐架,支撐架中部設有置物腔體,置物腔體邊緣設有真空梯形槽和真空環槽,支撐架上部設有光刻板區,支撐架底部設有支撐結構。通過設置針對本設置光刻板設計的支撐架,支撐效果好,光刻效率高。
所述的置物腔體內可以放置硅片。
所述的真空梯形槽設置在真空環槽內。通過設真空槽的設置,減少打火情況。
所述的支撐架為長方形結構,支撐架上部設有環形支撐面,支撐架的下部設有長方形的支撐座。
所述的支撐結構為支撐底座,所述的支撐底座的數量為四個,分別位于支持架底部的四個邊角。
所述的支撐架底部設有真空梯形槽和真空環槽的連通接口。
本實用新型通過對光刻版圖形的重新設計,徹底解決了行業中長期存在的邊緣一圈容易出現打火漏電現象,極大、直接的提高了產品的良品率。支撐架為合金材質特殊的邊緣結構,在配合真空處理槽體,減少打火漏電的概率,提高產品質量,提升工作效率。
附圖說明
圖1為本實用新型的光刻版本體的結構示意圖。
圖2為本實用新型的支撐架的俯視圖。
圖3為本實用新型的支撐架的剖視圖。
附圖標記說明:1-光刻版本體;2-光刻圖像區;3-梯形邊緣;4-最高邊緣;5-階梯邊緣;6-支撐架;7-真空梯形槽;8-真空環槽內;9-支撐面;10-支撐座;11-連通接口;12-置物腔體。
具體實施方式
下面結合實施例,進一步說明本實用新型。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





