[實用新型]一種新型光刻版有效
| 申請號： | 201821656828.2 | 申請日： | 2018-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN208922055U | 公開（公告）日： | 2019-05-31 |
| 發明（設計）人： | 馬祖光;郭光輝 | 申請（專利權）人： | 濟南晶碩電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/72 | 分類號： | G03F1/72;G03F7/20 |
| 代理公司： | 濟南瑞宸知識產權代理有限公司 37268 | 代理人： | 徐健 |
| 地址： | 250217 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 階梯邊緣 光刻版 光刻 規則圖形 梯形邊緣 防漏電 圖像區 漏電 邊緣位置 打火現象 正常圖形 重新設計 對位 刻版 對稱 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型光刻版，包括光刻版本體；其特征在于：所述的光刻版本體設有光刻圖像區，光刻圖像區邊緣設有防漏電結構，所述的防漏電結構為梯形邊緣，梯形邊緣設有最高邊緣，最高邊緣兩端設有對稱的階梯邊緣，分別為左側階梯邊緣和右側的階梯邊緣，左側階梯邊緣和右側階梯邊緣形狀、結構相互對位鏡像。
2.根據權利要求1所述的一種新型光刻版，其特征在于：所述的光刻版本體設有支撐架，支撐架中部設有置物腔體，置物腔體邊緣設有真空梯形槽和真空環槽，支撐架上部設有光刻板區，支撐架底部設有支撐結構。
3.根據權利要求2所述的一種新型光刻版，其特征在于：所述的置物腔體內可以放置硅片。
4.根據權利要求2所述的一種新型光刻版，其特征在于：所述的真空梯形槽設置在真空環槽內。
5.根據權利要求2所述的一種新型光刻版，其特征在于：所述的支撐架為長方形結構，支撐架上部設有環形支撐面，支撐架的下部設有長方形的支撐座。
6.根據權利要求2所述的一種新型光刻版，其特征在于：所述的支撐結構為支撐底座，所述的支撐底座的數量為四個，分別位于支持架底部的四個邊角。
7.根據權利要求2所述的一種新型光刻版，其特征在于：所述的支撐架底部設有真空梯形槽和真空環槽的連通接口。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
