[實用新型]發光芯片

有效

• 申請號: 201821652707.0
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN208938999U
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 魏振東;李俊賢;劉英策;周弘毅;鄔新根
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 李高峰;孟湘明

1.一發光芯片，其特征在于，包括：

一外延疊層，其中所述外延疊層包括一襯底、一N型半導體層、一有源區以及一P型半導體層，所述N型半導體層層疊于所述襯底，所述有源區層疊于所述N型半導體層，所述P型半導體層層疊于所述有源區，其中所述外延疊層具有一N型焊盤裸露部和至少一N型擴展條穿孔，所述N型焊盤裸露部和所述N型擴展條穿孔相互間隔，并分別自所述P型半導體層經所述有源區延伸至所述N型半導體層；

一鈍化層，其中所述鈍化層具有一N型焊盤通道、至少一第一通道、一P型焊盤通道以及至少一第二通道，其中所述鈍化層層疊于所述N型半導體層和所述P型半導體層，其中所述鈍化層的所述N型焊盤通道和所述外延疊層的所述N型焊盤裸露部相連通，所述鈍化層的所述第一通道和所述外延疊層的所述N型擴展條穿孔相連通，所述鈍化層的所述P型焊盤通道和所述第二通道對應于所述外延疊層的所述P型半導體層；以及

一電極組，其中所述電極組包括一N型電極和一P型電極，其中所述N型電極層疊于所述鈍化層，并且所述N型電極經所述鈍化層的所述N型焊盤通道和所述第一通道延伸至和被電連接于所述N型半導體層，其中所述P型電極層疊于所述鈍化層，并且所述P型電極經所述鈍化層的所述P型焊盤通道和所述第二通道被電連接于所述P型半導體層。

2.根據權利要求1所述的發光芯片，進一步包括一透明導電層，其中所述透明導電層層疊于所述外延疊層的所述P型半導體層，其中所述鈍化層層疊于所述透明導電層，并且所述鈍化層的所述P型焊盤通道和所述第二通道分別對應于所述透明導電層的不同位置，其中所述P型電極經所述鈍化層的所述P型焊盤和所述第二通道延伸至和被電連接于所述透明導電層。

3.根據權利要求1所述的發光芯片，進一步包括一透明導電層，其中所述透明導電層具有一導電層穿孔，所述透明導電層層疊于所述外延疊層的所述P型半導體層，并且所述透明導電層的所述導電層穿孔對應于所述P型半導體層，其中所述鈍化層層疊于所述透明導電層，并且所述鈍化層的所述P型焊盤通道和所述透明導電層的所述導電層穿孔相連通，其中所述P型電極經所述鈍化層的所述P型焊盤通道延伸至和被電連接于所述P型半導體層以及經所述鈍化層的所述第二通道延伸至和被電連接于所述透明導電層。

4.根據權利要求3所述的發光芯片，其中所述外延疊層具有一個所述N型擴展條穿孔，所述N型擴展條穿孔在所述發光芯片的中部自所述N型焊盤裸露部向所述發光芯片的第一端部方向延伸。

5.根據權利要求3所述的發光芯片，其中所述外延疊層具有兩個所述N型擴展條穿孔，兩個所述N型擴展條穿孔相互對稱地在所述發光芯片的側部自所述N型焊盤裸露部向所述發光芯片的第一端部方向延伸。

6.根據權利要求3所述的發光芯片，其中所述外延疊層具有一列所述N型擴展條穿孔，一列所述N型擴展條穿孔以相鄰兩個所述N型擴展條穿孔相互間隔的方式在所述發光芯片的中部自所述N型焊盤裸露部向所述發光芯片的第一端部方向延伸。

7.根據權利要求3所述的發光芯片，其中所述外延疊層具有兩列所述N型擴展條穿孔，每列所述N型擴展條穿孔分別以相鄰兩個所述N型擴展條穿孔相互間隔的方式在所述發光芯片的側部自所述N型焊盤裸露部向所述發光芯片的第一端部方向延伸。

8.根據權利要求6所述的發光芯片，其中所述鈍化層具有一個所述第一通道，所述第一通道在所述發光芯片的中部自所述N型焊盤通道向所述發光芯片的第一端部方向延伸，并且一列所述N型擴展條穿孔中的每個所述N型擴展條穿孔分別連通所述第一通道。

9.根據權利要求6所述的發光芯片，其中所述鈍化層具有一列所述第一通道，一列所述第一通道以相鄰兩個所述第一通道相互間隔的方式在所述發光芯片的中部自所述N型焊盤通道向所述發光芯片的第一端部方向延伸，并且每個所述N型擴展條穿孔和每個所述第一通道一一相連通。