[實(shí)用新型]發(fā)光芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821652707.0
• 申請(qǐng)日: 2018-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN208938999U
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏振東;李俊賢;劉英策;周弘毅;鄔新根
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38
• 代理公司: 寧波理文知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 李高峰;孟湘明

1.一發(fā)光芯片，其特征在于，包括：

一外延疊層，其中所述外延疊層包括一襯底、一N型半導(dǎo)體層、一有源區(qū)以及一P型半導(dǎo)體層，所述N型半導(dǎo)體層層疊于所述襯底，所述有源區(qū)層疊于所述N型半導(dǎo)體層，所述P型半導(dǎo)體層層疊于所述有源區(qū)，其中所述外延疊層具有一N型焊盤裸露部和至少一N型擴(kuò)展條穿孔，所述N型焊盤裸露部和所述N型擴(kuò)展條穿孔相互間隔，并分別自所述P型半導(dǎo)體層經(jīng)所述有源區(qū)延伸至所述N型半導(dǎo)體層；

一鈍化層，其中所述鈍化層具有一N型焊盤通道、至少一第一通道、一P型焊盤通道以及至少一第二通道，其中所述鈍化層層疊于所述N型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層，其中所述鈍化層的所述N型焊盤通道和所述外延疊層的所述N型焊盤裸露部相連通，所述鈍化層的所述第一通道和所述外延疊層的所述N型擴(kuò)展條穿孔相連通，所述鈍化層的所述P型焊盤通道和所述第二通道對(duì)應(yīng)于所述外延疊層的所述P型半導(dǎo)體層；以及

一電極組，其中所述電極組包括一N型電極和一P型電極，其中所述N型電極層疊于所述鈍化層，并且所述N型電極經(jīng)所述鈍化層的所述N型焊盤通道和所述第一通道延伸至和被電連接于所述N型半導(dǎo)體層，其中所述P型電極層疊于所述鈍化層，并且所述P型電極經(jīng)所述鈍化層的所述P型焊盤通道和所述第二通道被電連接于所述P型半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光芯片，進(jìn)一步包括一透明導(dǎo)電層，其中所述透明導(dǎo)電層層疊于所述外延疊層的所述P型半導(dǎo)體層，其中所述鈍化層層疊于所述透明導(dǎo)電層，并且所述鈍化層的所述P型焊盤通道和所述第二通道分別對(duì)應(yīng)于所述透明導(dǎo)電層的不同位置，其中所述P型電極經(jīng)所述鈍化層的所述P型焊盤和所述第二通道延伸至和被電連接于所述透明導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光芯片，進(jìn)一步包括一透明導(dǎo)電層，其中所述透明導(dǎo)電層具有一導(dǎo)電層穿孔，所述透明導(dǎo)電層層疊于所述外延疊層的所述P型半導(dǎo)體層，并且所述透明導(dǎo)電層的所述導(dǎo)電層穿孔對(duì)應(yīng)于所述P型半導(dǎo)體層，其中所述鈍化層層疊于所述透明導(dǎo)電層，并且所述鈍化層的所述P型焊盤通道和所述透明導(dǎo)電層的所述導(dǎo)電層穿孔相連通，其中所述P型電極經(jīng)所述鈍化層的所述P型焊盤通道延伸至和被電連接于所述P型半導(dǎo)體層以及經(jīng)所述鈍化層的所述第二通道延伸至和被電連接于所述透明導(dǎo)電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光芯片，其中所述外延疊層具有一個(gè)所述N型擴(kuò)展條穿孔，所述N型擴(kuò)展條穿孔在所述發(fā)光芯片的中部自所述N型焊盤裸露部向所述發(fā)光芯片的第一端部方向延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光芯片，其中所述外延疊層具有兩個(gè)所述N型擴(kuò)展條穿孔，兩個(gè)所述N型擴(kuò)展條穿孔相互對(duì)稱地在所述發(fā)光芯片的側(cè)部自所述N型焊盤裸露部向所述發(fā)光芯片的第一端部方向延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光芯片，其中所述外延疊層具有一列所述N型擴(kuò)展條穿孔，一列所述N型擴(kuò)展條穿孔以相鄰兩個(gè)所述N型擴(kuò)展條穿孔相互間隔的方式在所述發(fā)光芯片的中部自所述N型焊盤裸露部向所述發(fā)光芯片的第一端部方向延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光芯片，其中所述外延疊層具有兩列所述N型擴(kuò)展條穿孔，每列所述N型擴(kuò)展條穿孔分別以相鄰兩個(gè)所述N型擴(kuò)展條穿孔相互間隔的方式在所述發(fā)光芯片的側(cè)部自所述N型焊盤裸露部向所述發(fā)光芯片的第一端部方向延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光芯片，其中所述鈍化層具有一個(gè)所述第一通道，所述第一通道在所述發(fā)光芯片的中部自所述N型焊盤通道向所述發(fā)光芯片的第一端部方向延伸，并且一列所述N型擴(kuò)展條穿孔中的每個(gè)所述N型擴(kuò)展條穿孔分別連通所述第一通道。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光芯片，其中所述鈍化層具有一列所述第一通道，一列所述第一通道以相鄰兩個(gè)所述第一通道相互間隔的方式在所述發(fā)光芯片的中部自所述N型焊盤通道向所述發(fā)光芯片的第一端部方向延伸，并且每個(gè)所述N型擴(kuò)展條穿孔和每個(gè)所述第一通道一一相連通。