[實(shí)用新型]發(fā)光芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821652707.0
• 申請(qǐng)日: 2018-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN208938999U
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏振東;李俊賢;劉英策;周弘毅;鄔新根
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38
• 代理公司: 寧波理文知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 李高峰;孟湘明

本實(shí)用新型公開了一發(fā)光芯片，其包括一外延疊層、一鈍化層、一N型電極以及一P型電極，所述外延疊層具有相互間隔的自所述外延疊層的一P型半導(dǎo)體層經(jīng)一有源區(qū)延伸至一N型半導(dǎo)體層的一N型焊盤裸露部和至少一N型擴(kuò)展條穿孔，所述鈍化層層疊于所述N型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層，且所述鈍化層的N型焊盤通道和所述N型焊盤裸露部相連通，所述鈍化層的第一通道和所述N型擴(kuò)展條穿孔相連通，所述鈍化層的P型焊盤通道和第二通道對(duì)應(yīng)于所述P型半導(dǎo)體層；所述N型電極和所述P型電極分別層疊于所述鈍化層，并且所述N型電極電連接于所述N型半導(dǎo)體層，所述P型電極電連接于所述P型半導(dǎo)體層。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管，特別涉及一發(fā)光芯片。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)具有亮度高、壽命長(zhǎng)、體積小和耗電量低等優(yōu)點(diǎn)，這使得發(fā)光二極管被視為新一代的照明工具，進(jìn)而促進(jìn)發(fā)光二極管的發(fā)光芯片及其相關(guān)技術(shù)得到了突飛猛進(jìn)式的發(fā)展。然而，現(xiàn)在的發(fā)光二極管的發(fā)光芯片仍然存在著發(fā)光效率低的問(wèn)題，因此，如何提高發(fā)光二極管的發(fā)光芯片的發(fā)光效率仍然半導(dǎo)體發(fā)光二極管領(lǐng)域最重要的研究課題。

圖1A和圖1B分別從剖視視角和俯視視角描述了現(xiàn)有的一發(fā)光芯片的結(jié)構(gòu)，其中所述發(fā)光芯片包括一外延疊層10P、一透明導(dǎo)電層20P、一鈍化層30P、一 N型電極40P和一P型電極50P以及具有一第一端部101P和對(duì)應(yīng)于所述第一端部101P的一第二端部102P。所述外延疊層10P包括一襯底11P和自所述襯底 11P依次生長(zhǎng)的一N型半導(dǎo)體層12P、一有源區(qū)13P以及一P型半導(dǎo)體層14P。所述外延疊層10P具有一N型焊盤裸露部15P和連通所述N型焊盤裸露部15P 的至少一N型擴(kuò)展條裸露部16P，所述N型焊盤裸露部15P和所述N型擴(kuò)展條裸露部16P分別自所述P型半導(dǎo)體層14P經(jīng)所述有源區(qū)13P延伸至所述N型半導(dǎo)體層12P，并且所述N型焊盤裸露部15P位于所述發(fā)光芯片的所述第二端部 102P，所述N型擴(kuò)展條裸露部16P自所述N型焊盤裸露部15P向所述發(fā)光芯片的所述第一端部101P延伸。所述透明導(dǎo)電層20P具有一導(dǎo)電層穿孔21P，其中所述透明導(dǎo)電層20P層疊于所述P型半導(dǎo)體層14P，并且所述透明導(dǎo)電層20P的所述導(dǎo)電層穿孔21P在所述發(fā)光芯片的所述第一端部101P對(duì)應(yīng)于所述P型半導(dǎo)體層14P。所述鈍化層30P具有一N型焊盤穿孔31P、至少一列N型擴(kuò)展條穿孔 32P、一P型焊盤穿孔33P以及至少一列P型擴(kuò)展條穿孔34P，其中所述鈍化層 30P層疊于所述N型半導(dǎo)體層12P、所述P型半導(dǎo)體層14P和所述透明導(dǎo)電層 20P，并且所述N型焊盤穿孔31P和各個(gè)所述N型擴(kuò)展條穿孔32P分別對(duì)應(yīng)于所述N型半導(dǎo)體層12P，所述P型焊盤穿孔33P對(duì)應(yīng)于所述P型半導(dǎo)體層14P，各個(gè)所述P型擴(kuò)展條穿孔34P分別對(duì)應(yīng)于所述透明導(dǎo)電層20P。所述N型電極40P 層疊于所述鈍化層30P，并且所述N型電極40P的N型焊盤41P經(jīng)所述N型焊盤穿孔31P延伸至和被連接于所述N型半導(dǎo)體層12P，和所述N型電極40P的各個(gè)N型擴(kuò)展條連接針42P分別經(jīng)各個(gè)所述N型擴(kuò)展條穿孔32P延伸至和被連接于所述N型半導(dǎo)體層12P。所述P型電極50P層疊于所述鈍化層30P，并且所述P型電極50P的P型焊盤51P經(jīng)所述P型擴(kuò)展條穿孔33P延伸至和被連接于所述P型半導(dǎo)體層14P，和所述P型電極50P的各個(gè)P型擴(kuò)展條連接針52P分別經(jīng)各個(gè)所述P型擴(kuò)展條穿孔34P延伸至和被電連接于所述透明導(dǎo)電層20P。

參考附圖1A和圖1B，在現(xiàn)有的所述發(fā)光芯片中，所述外延疊層10P的所述N型擴(kuò)展條裸露部16P是一個(gè)長(zhǎng)條形的凹槽，從所述發(fā)光芯片的俯視視角來(lái)看，所述N型擴(kuò)展條裸露部16P自所述N型焊盤裸露部15P向所述發(fā)光芯片的所述第一端部101P方向延伸，從所述發(fā)光芯片的剖視視角來(lái)看，所述N型擴(kuò)展條裸露部16P自所述P型半導(dǎo)體層14P經(jīng)所述有源區(qū)13P延伸至所述N型半導(dǎo)體層12P，因此，所述發(fā)光芯片在對(duì)應(yīng)于所述N型擴(kuò)展條裸露部16P的區(qū)域沒有所述有源區(qū)13P，這導(dǎo)致所述發(fā)光芯片在對(duì)應(yīng)于所述N型擴(kuò)展條裸露部16P的區(qū)域并不會(huì)使電子和空穴復(fù)合而產(chǎn)生光線，進(jìn)而降低所述發(fā)光芯片的發(fā)光效率。

實(shí)用新型內(nèi)容