[實用新型]一種輻射制冷薄膜制造設備的流延定型系統

有效

• 申請號: 201821649753.5
• 申請日: 2018-10-11
• 公開（公告）號: CN209533972U
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 徐紹禹;陳志雄;鐘松;梁文東;羅亮;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 寧波瑞凌輻射制冷科技有限公司
• 主分類號: B29C41/26
• 分類號: B29C41/26;B29C41/52;B29L7/00
• 代理公司: 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 梁炎芳;謝亮

本實用新型公開一種輻射制冷薄膜制造設備的流延定型系統，包括擠出機、模頭、第一流延輥、第二流延輥、第三流延輥，所述模頭位于擠出機左側，所述第一流延輥位于模頭左下側，所述第二流延輥位于第一流延輥左側，所述第三流延輥位于第二流延輥左側；所述輻射制冷薄膜第一端位于模頭下方，所述輻射制冷薄膜第二端從右至左依次與第一流延輥底部、第二流延輥頂部以及第三流延輥底部相切。本實用新型通過設置三個流延輥，通過對三個流延輥的溫度和轉速進行獨立控制，初始通過第一流延輥高溫定型，然后通過第二流延輥和第三流延輥低溫定型，使輻射制冷薄膜的成膜厚度均勻，成膜率更高。

技術領域

本實用新型涉及輻射制冷降溫薄膜制造領域，尤其涉及的是一種輻射制冷薄膜制造設備的流延定型系統。

背景技術

現有技術中，輻射制冷降溫薄膜是一種把包括但不限于Ag、TiO₂、ZnS、石墨烯、玻璃微珠、Al、氮化鎵、碳納米管加入包括但不限于TPX、PET、PETG、PMMA、PVDF、ABS、EVOH、EVA高分子材料，通過擠出機高溫熔融混煉分散、接著平面模頭擠出，然后在流延系統上冷卻成型的薄膜，該薄膜可以在不消耗能源的情況下通過特定波長的紅外線，把熱量輻射到外太空。然而該種薄膜在制造過程，由于在包括但不限于在TPX、PET、PETG、PMMA、PVDF、ABS、EVOH、EVA高分子材料中加入質量比較大包括但不限于Ag、TiO₂、ZnS、石墨烯、玻璃微珠、Al、氮化鎵、碳納米管，致使薄膜流延冷卻成型難度大大提升，同時熔融薄膜急冷收縮，使厚薄偏差變大。

已知的輻射制冷降溫薄膜流延冷卻成型系統都是熔體從模頭出來后，馬上進入低溫流延輥在35℃或以下的可控溫度急冷定型，由于薄膜內含質量比較大的無機物致使薄膜流延冷卻成型難度大大提升，同時因為熔融薄膜急冷收縮，使厚薄偏差變大。

因此，現有技術存在缺陷，需要改進。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是：提供一種成膜厚度均勻、生產效率高的輻射制冷薄膜制造設備的流延定型系統。

本實用新型的技術方案如下：一種輻射制冷薄膜制造設備的流延定型系統，用于生產厚度均勻的輻射制冷薄膜，包括用于擠出高溫熔體的擠出機、用于初始定型的模頭、用于高溫定型的第一流延輥、用于低溫定型的第二流延輥、以及用于低溫定型的第三流延輥，所述模頭位于擠出機左側，所述第一流延輥位于模頭左下側，所述第二流延輥位于第一流延輥左側，所述第三流延輥位于第二流延輥左側；所述輻射制冷薄膜第一端位于模頭下方，所述輻射制冷薄膜第二端從右至左依次與第一流延輥底部、第二流延輥頂部以及第三流延輥底部相切。

采用上述技術方案，所述的輻射制冷薄膜制造設備的流延定型系統中，所述第一流延輥的控制溫度為50～200℃，所述第二流延輥和第三流延輥的控制溫度分別為10～35℃。

采用上述各個技術方案，所述的輻射制冷薄膜制造設備的流延定型系統中，所述第二流延輥和第三流延輥的控制溫度分別為20～35℃。

采用上述各個技術方案，所述的輻射制冷薄膜制造設備的流延定型系統中，所述第一流延輥轉速比第二流延輥轉速慢0～0.5％，所述第二流延輥轉速比第三流延輥轉速慢0～0.5％。

采用上述各個技術方案，本實用新型通過設置三個流延輥，通過對三個流延輥的溫度和轉速進行獨立控制，初始通過第一流延輥高溫定型，然后通過第二流延輥和第三流延輥低溫定型，使輻射制冷薄膜的成膜厚度均勻，成膜率更高。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例，對本實用新型進行詳細說明。