[實用新型]集成電路

有效

• 申請號: 201821642927.5
• 申請日: 2018-10-10
• 公開（公告）號: CN209045528U
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: A·薩拉菲亞諾斯;A·馬扎基
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;呂世磊

1.一種集成電路，其特征在于，包括：

半導體襯底，其具有背面；

第一半導體阱，位于所述半導體襯底中，所述第一半導體阱包括電路部件；

第二半導體阱，位于所述半導體襯底中，所述第二半導體阱與所述第一半導體阱以及所述襯底的其余部分絕緣；

其中，所述第二半導體阱包括檢測設備，所述檢測設備可配置成在第一配置中操作以檢測經由所述背面對所述半導體襯底的減薄，并且在第二配置中操作以檢測通過向所述集成電路中的故障注入而進行的差分故障分析(DFA)攻擊。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，

所述檢測設備的所述第一配置通過檢測不存在響應于所施加的偏置而在所述第二半導體阱中流動的電流，來檢測經由所述背面對所述半導體襯底的減薄；以及

所述檢測設備的所述第二配置通過在不存在所施加的偏置的情況下檢測在所述第二半導體阱中流動的電流，來檢測所述差分故障分析攻擊，其中沒有檢測到對所述半導體襯底的所述減薄。

3.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述半導體襯底具有與所述背面相對的正面，并且所述檢測設備包括：

第一隔離溝槽，其在所述第二半導體阱的外圍的兩個位置之間延伸到所述第二半導體阱中，所述第一隔離溝槽具有距所述正面的深度，所述第一隔離溝槽與所述第二半導體阱的底部相隔一定距離；以及

檢測電路，其在所述第一配置中操作，以測量表示分別位于所述第一隔離溝槽的相對側上的兩個接觸區域之間的所述第二半導體阱的電阻的物理量，并且在所述第二配置中操作，以檢測在所述兩個接觸區域之間流動的電流的存在。

4.根據權利要求3所述的集成電路，其特征在于，所述檢測電路包括：

偏置電路，其被配置為在所述兩個接觸區域之間施加電位差；以及

比較電路，其被配置為測量在所述兩個接觸區域之間流動的所述電流。

5.根據權利要求4所述的集成電路，其特征在于，所述檢測電路包括控制電路，所述控制電路被配置為通過啟用所述偏置電路來將所述檢測設備初始地置于所述第一配置中，并且隨后在檢測到所述半導體襯底的未減薄之后從所述第一配置切換到所述第二配置。

6.根據權利要求5所述的集成電路，其特征在于，所述切換包括：禁用所述偏置電路，并且使用所述比較電路來測量所述第一配置和所述第二配置中的電流。

7.根據權利要求3所述的集成電路，其特征在于，所述半導體襯底具有第一導電類型，所述第一半導體阱具有第二導電類型，并且所述第二半導體阱具有所述第一導電類型。

8.根據權利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述第二半導體阱與所述第一半導體阱通過第一隔離區以及通過所述第一半導體阱和所述第二半導體阱之間的PN結隔離，所述第一隔離區包括至少一個隔離溝槽，所述至少一個隔離溝槽從所述襯底的所述正面延伸至距所述第二半導體阱的所述底部第一距離處。

9.根據權利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述第二半導體阱與所述半導體襯底的所述其余部分通過所述第二導電類型的半導體層以及通過第二隔離區隔離，所述第二導電類型的半導體層在所述第一半導體阱之下和所述第二半導體阱之下埋置在所述半導體襯底中，所述第二隔離區包括：所述隔離溝槽以及附加的隔離溝槽，所述附加的隔離溝槽被配置用于在所述隔離溝槽和埋置的所述半導體層之間提供電隔離的連續性。

10.根據權利要求3所述的集成電路，其特征在于，所述半導體襯底具有第一導電類型，所述第一半導體阱具有第二導電類型，并且所述第二半導體阱具有所述第二導電類型。