[實(shí)用新型]一種顆粒物沉降質(zhì)量測(cè)量裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821632085.5 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN209280512U | 公開（公告）日： | 2019-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李星輝;吳豪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué)深圳研究生院 |
| 主分類號(hào)： | G01N15/04 | 分類號(hào)： | G01N15/04 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電離 顆粒物 測(cè)量模塊 質(zhì)量測(cè)量裝置 沉降 濾膜 測(cè)量 頻率測(cè)量裝置 質(zhì)量檢測(cè)裝置 本實(shí)用新型 高壓放電針 測(cè)量石英 電極參數(shù) 電離空氣 電離區(qū)域 石英晶片 數(shù)據(jù)基礎(chǔ) 諧振頻率 集塵極 帶電 附著 晶片 石英 | ||
1.一種顆粒物沉降質(zhì)量測(cè)量裝置，其特征在于，包括：用于電離空氣的電離模塊和用于測(cè)量沉降顆粒物的質(zhì)量變化值的測(cè)量模塊；所述電離模塊包括電離區(qū)域和設(shè)置于電離區(qū)域中的高壓放電針；所述測(cè)量模塊包括帶電的石英晶片和用于測(cè)量石英晶片的諧振頻率的頻率測(cè)量裝置，所述石英晶片設(shè)置于電離區(qū)域下側(cè)；還包括用于收集未被沉降顆粒物的濾膜和用于測(cè)量濾膜中顆粒物質(zhì)量的質(zhì)量檢測(cè)裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種顆粒物沉降質(zhì)量測(cè)量裝置，其特征在于：還包括靜電沉降流道，所述靜電沉降流道形成所述的電離區(qū)域；所述靜電沉降流道表面設(shè)置有微孔，所述高壓放電針通過微孔插入至所述靜電沉降流道內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種顆粒物沉降質(zhì)量測(cè)量裝置，其特征在于：還包括殼體，所述測(cè)量模塊設(shè)置于殼體上端，所述靜電沉降流道下端與殼體相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種顆粒物沉降質(zhì)量測(cè)量裝置，其特征在于：所述石英晶片的表面設(shè)置有導(dǎo)電金屬片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種顆粒物沉降質(zhì)量測(cè)量裝置，其特征在于：還包括晶片托盤，所述石英晶片設(shè)置于晶片托盤中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種顆粒物沉降質(zhì)量測(cè)量裝置，其特征在于：所述晶片托盤的上側(cè)設(shè)有通孔，所述通孔的形狀與所述石英晶片的上表面的導(dǎo)電金屬片相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種顆粒物沉降質(zhì)量測(cè)量裝置，其特征在于：還包括用于將空氣吸入電離區(qū)域的空氣泵，所述空氣泵通過泵接口與濾膜相連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種顆粒物沉降質(zhì)量測(cè)量裝置，其特征在于：還包括用于提供電壓的供電探針，所述供電探針的導(dǎo)電金屬片相連接。
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