[實用新型]晶圓處理裝置和多腔室晶圓處理設備有效
| 申請號: | 201821625985.7 | 申請日: | 2018-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN208753276U | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發明(設計)人: | 王大為;吳龍江;林宗賢 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;董琳 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱器 晶圓處理裝置 機械手 處理腔室 傳送口 晶圓 晶圓處理設備 擋板 存儲室 多腔室 噴淋頭 預加熱 存儲 抓取 室內 本實用新型 揮發性氣體 閉合 處理裝置 擋板移動 相對設置 相鄰設置 處理腔 運動端 門閥 噴淋 吸附 種晶 連通 | ||
1.一種晶圓處理裝置,其特征在于,包括:
處理腔室,所述處理腔室內相對設置有噴淋頭和加熱器,所述加熱器用于放置晶圓;
存儲室,與所述處理腔室相鄰設置,用于存儲一擋板,所述存儲室與處理腔室之間通過一傳送口連通,所述傳送口處設置有一門閥,用于控制所述傳送口的開啟與閉合;
機械手,設置于所述存儲室內,所述機械手的運動端用于抓取所述擋板,當所述加熱器對晶圓進行預加熱處理時,所述機械手用于將擋板移動至所述噴淋頭和所述加熱器之間。
2.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述機械手包括底座和可伸縮機械臂,所述可伸縮機械臂一端連接至所述底座,另一端用于抓取所述擋板,所述可伸縮機械臂用于通過伸縮運動將擋板在存儲室與處理腔室之間移動。
3.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述機械手包括底座和機械臂,所述機械臂一端通過一轉軸與所述底座連接,另一端用于抓取所述擋板,所述機械臂用于通過繞所述轉軸旋轉將擋板在存儲室與處理腔室之間移動。
4.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述擋板具有至少一粗糙表面,當所述機械手將擋板移動至所述噴淋頭與所述加熱器之間時,所述粗糙表面朝向所述加熱器。
5.根據權利要求4所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述粗糙表面包括錐形凸起層、磨砂表面以及噴砂處理后表面中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述傳送口邊緣設置有噴氣單元,所述噴氣單元用于連接至惰性氣體源,在所述門閥開啟時,在傳送口處噴氣,形成位于存儲室與處理腔室之間的氣簾。
7.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述擋板內設置有真空管路,所述真空管路一端連通至所述擋板表面,另一端連通至抽氣單元。
8.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述噴淋頭和所述擋板均為圓形,所述擋板的直徑大于所述噴淋頭的直徑。
9.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述擋板位于所述噴淋頭與所述加熱器之間時,所述擋板與所述噴淋頭之間的距離小于所述擋板與所述加熱器之間的距離。
10.一種多腔室晶圓處理設備,其特征在于,包括至少兩個如權利要求1至9中任一項所述的晶圓處理裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





