[實用新型]晶圓處理裝置和多腔室晶圓處理設備

有效

• 申請號: 201821625985.7
• 申請日: 2018-10-08
• 公開（公告）號: CN208753276U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 王大為;吳龍江;林宗賢
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/324
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;董琳

本實用新型涉及一種晶圓處理裝置和多腔室晶圓處理設備，所述晶圓處理裝置包括：處理腔室，所述處理腔室內相對設置有噴淋頭和加熱器，所述加熱器用于放置晶圓；存儲室，與所述處理腔室相鄰設置，用于存儲一擋板，所述存儲室與處理腔室之間通過一傳送口連通，所述傳送口處設置有一門閥，用于控制所述傳送口的開啟與閉合；機械手，設置于所述存儲室內，所述機械手的運動端用于抓取所述擋板，當所述加熱器對晶圓進行預加熱處理時，所述機械手用于將擋板移動至所述噴淋頭和所述加熱器之間。所述晶圓處理裝置能夠避免對晶圓進行預加熱時產生的揮發性氣體吸附于噴淋頭上。

技術領域

本實用新型涉及半導體設備領域，尤其涉及一種晶圓處理裝置和多腔室晶圓處理設備。

背景技術

在半導體芯片制造業中，預加熱(Preheating)是設備中的常見功能。其原理是在晶圓工藝之前，用加熱方式使晶圓表面殘余物質變為氣體后再被泵抽走的過程。晶圓表面殘余物質的成分通常是晶圓在前道工藝結束后的殘余物。但實際情況是，腔體中加熱器對晶圓進行預加熱，大部分殘余氣體會被抽走，但仍有少部分殘余氣體會附著在噴淋頭上。附著在噴淋頭上的殘余氣體可能會凝結成固體雜質，也可能與后續工藝中噴淋頭噴出的工藝氣體發生化學反應生成固體雜質。這樣會造成噴淋頭孔洞堵塞、固體雜質掉落到加熱器或晶圓表面，導致腔體的維護周期變短。

如何避免預加熱過程的殘余氣體附著于噴淋頭上，是目前亟待解決的問題。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種晶圓處理裝置和多腔室晶圓處理設備，避免預加熱過程中殘余氣體附著于噴淋頭上。

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種晶圓處理裝置，包括：處理腔室，所述處理腔室內相對設置有噴淋頭和加熱器，所述加熱器用于放置晶圓；存儲室，與所述處理腔室相鄰設置，用于存儲一擋板，所述存儲室與處理腔室之間通過一傳送口連通，所述傳送口處設置有一門閥，用于控制所述傳送口的開啟與閉合；機械手，設置于所述存儲室內，所述機械手的運動端用于抓取所述擋板，當所述加熱器對晶圓進行預加熱處理時，所述機械手用于將擋板移動至所述噴淋頭和所述加熱器之間。

可選的，所述機械手包括底座和可伸縮機械臂，所述可伸縮機械臂一端連接至所述底座，另一端用于抓取所述擋板，所述可伸縮機械臂用于通過伸縮運動將擋板在存儲室與處理腔室之間移動。

可選的，所述機械手包括底座和機械臂，所述機械臂一端通過一轉軸與所述底座連接，另一端用于抓取所述擋板，所述機械臂用于通過繞所述轉軸旋轉將擋板在存儲室與處理腔室之間移動。

可選的，所述擋板具有至少一粗糙表面，當所述機械手將擋板移動至所述噴淋頭與所述加熱器之間時，所述粗糙表面朝向所述加熱器。

可選的，所述粗糙表面包括錐形凸起層、磨砂表面以及噴砂處理后表面中的至少一種。

可選的，所述傳送口邊緣設置有噴氣單元，所述噴氣單元用于連接至惰性氣體源，在所述門閥開啟時，在傳送口處噴氣，形成位于存儲室與處理腔室之間的氣簾。

可選的，所述擋板內設置有真空管路，所述真空管路一端連通至所述擋板表面，另一端連通至抽氣單元。

可選的，所述噴淋頭和所述擋板均為圓形，所述擋板的直徑大于所述噴淋頭的直徑。

可選的，所述擋板位于所述噴淋頭與所述加熱器之間時，所述擋板與所述噴淋頭之間的距離小于所述擋板與所述加熱器之間的距離。

本實用新型的技術方案還提供一種多腔室晶圓處理設備，包括至少兩個上述晶圓處理裝置。

本實用新型的晶圓處理裝置包括一存儲擋板的存儲室，能夠在處理腔室對晶圓進行預加熱的過程中，將擋板設置與處理腔室的加熱器與噴淋頭之間，避免預加熱過程中晶圓表面揮發的氣體附著于噴淋頭上。

附圖說明