[實(shí)用新型]一種研磨盤

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821625356.4
• 申請(qǐng)日: 2018-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN209350055U
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賀勇;鄧有財(cái);林旭明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號(hào): B24B37/11
• 分類號(hào): B24B37/11
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本實(shí)用新型公開一種研磨盤，研磨盤的環(huán)形表面上設(shè)研磨溝槽，溝槽的槽壁與溝槽的中心線的夾角是0~5°，本實(shí)用新型的研磨盤與研磨拋光液配合，可用于對(duì)晶片進(jìn)行研磨或者拋光，具有壽命長、移除率高且避免晶片研磨拋光過程中深刮等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于晶片加工領(lǐng)域，特別涉及一種用于對(duì)晶片進(jìn)行拋光或者研磨的研磨盤。

背景技術(shù)

藍(lán)寶石是一種集優(yōu)良光學(xué)、物理、化學(xué)性能于一身的獨(dú)特晶體,是當(dāng)代工業(yè)重要的基礎(chǔ)材料，其遍及應(yīng)用于半導(dǎo)體照明（LED）、手機(jī)屏幕、手機(jī)后蓋、智能設(shè)備、紅外軍事設(shè)備、衛(wèi)星空間技術(shù)、高強(qiáng)度激光窗口等領(lǐng)域。但由于藍(lán)寶石具有強(qiáng)度高、硬度大、耐沖刷，切削速率相當(dāng)小；并且LED的藍(lán)寶石晶片精度要求超高亮度、晶格完整、無任何加工缺陷，嚴(yán)重制約了藍(lán)寶石襯底產(chǎn)量。

因此在之制備藍(lán)寶石晶片的過程中拋光工藝及設(shè)備特別重要。在拋光過程中，由于研磨盤旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生離心力使得金剛石鉆石液流入研磨盤螺旋溝槽中，金剛石鉆石液與藍(lán)寶石產(chǎn)生化學(xué)腐蝕作用，同時(shí)在研磨盤對(duì)其施加拋光壓力雙重作用下，使得藍(lán)寶石晶片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，其反應(yīng)物得到拋光。

目前的研磨盤有金屬盤、合金盤或復(fù)合材料盤，盤上開設(shè)粗糙的研磨溝槽，盤上的研磨溝槽槽和研磨液配合，對(duì)藍(lán)寶石進(jìn)行磨削拋光加工，其中研磨盤是用于藍(lán)寶石拋光的最佳研磨盤，研磨盤溝槽的形狀結(jié)構(gòu)多采用v形結(jié)構(gòu)。但是采用V形結(jié)構(gòu)的溝槽經(jīng)過一段時(shí)間的拋光后，溝槽消耗快，研磨盤壽命較短，移除率降低且下降速度快，晶片在研磨過程中容易出現(xiàn)深刮現(xiàn)象。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種對(duì)晶片進(jìn)行拋光或者研磨的研磨盤，具有壽命長、移除率高且避免晶片研磨拋光過程中深刮等優(yōu)點(diǎn)。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的方案是：研磨盤的環(huán)形表面上設(shè)研磨溝槽，溝槽的槽壁與溝槽的中心線的夾角是0~5°。

優(yōu)選的，溝槽的中心線為豎直線。

優(yōu)選的，研磨盤為軟質(zhì)金屬，例如銅盤、錫盤或鐵盤。

優(yōu)選的，溝槽的形狀包括但不限于方形、U形或梯形。

優(yōu)選的，溝槽的形狀是方形，方形溝槽深度是380~600um，溝槽寬度是0.8 ~1.1mm，溝槽的間距是1.6~2.2mm。

優(yōu)選的，溝槽的形狀是U形，U形溝槽深度是380~1000um，溝槽寬度是0.8 ~1.1mm，溝槽的間距是1.6~2.2mm。

優(yōu)選的，溝槽的形狀是梯形，梯形溝槽深度是380~600um，梯形溝槽的下寬度是0.8~1.1mm，溝槽的間距是1.6~2.2mm，溝槽的槽壁與溝槽的中心線的夾角是0~5°。

與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比，本實(shí)用新型的有益效果是：

（1）本實(shí)用新型的研磨盤采用方形、U形或梯形的溝槽，在相同的溝槽深度和間距的條件下，方形、U形或梯形溝槽體積更大，能貯存更多的拋光液，研磨拋光過程中材料的移除率取決于單位時(shí)間內(nèi)拋光液與加工件的接觸次數(shù)和接觸量，因此在相同的工作頻率下，本實(shí)用新型的研磨盤具有更大的拋光液接觸量，具有較高的移除率；

（2）本實(shí)用新型的研磨盤采用方形、U形或梯形的溝槽，拋光液在研磨盤高速旋轉(zhuǎn)過程中容易受離心力作用沿著斜面被甩出，且隨著溝槽深度的減少，會(huì)越明顯，而方形、U形或梯形溝槽結(jié)構(gòu)則極大的緩解這個(gè)問題，能確保更多的拋光液參與工作，提升了材料去除率，相應(yīng)的減少了研磨盤的磨損，與此同時(shí)提高研磨盤壽命；

（3）本實(shí)用新型的研磨盤采用方形、U形或梯形的溝槽，研磨拋光多采用鉆石拋光液，游離的鉆石拋光液在壓力的作用下容易鑲嵌在研磨盤拋表面，由于V型溝槽存在斜面，因此鉆石顆粒有可能鑲嵌在斜面上，而不是平面上，形成了局部的切削刃，就會(huì)造成晶片刮傷，而采用方形、U形或梯形的溝槽則可避免鉆石顆粒鑲嵌在側(cè)壁形成局部切削刃，防止拋光過程中對(duì)晶片產(chǎn)生的刮傷。