[實(shí)用新型]一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821620128.8
• 申請(qǐng)日: 2018-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN208898988U
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔明培;余力;韓金保;龍甫強(qiáng);蘇龍慶;鄺耀庭;劉思敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市鉅仕泰粉末冶金有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/56;C23C14/54
• 代理公司: 深圳市精英專利事務(wù)所 44242
• 代理人: 馮筠

本實(shí)用新型涉及一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，包括進(jìn)片室，設(shè)于進(jìn)片室出料端的進(jìn)片緩沖室，設(shè)于進(jìn)片緩沖室出料端的進(jìn)片過渡室，設(shè)于進(jìn)片過渡室出料端的鍍膜室，設(shè)于鍍膜室出料端的出片過渡室，設(shè)于出片過渡室出料端的出片緩沖室，及設(shè)于出片緩沖室出料端的出片室；所述鍍膜室為若干個(gè)，且鍍膜室內(nèi)設(shè)置有若個(gè)干陰極旋轉(zhuǎn)靶位、直流平面靶位。本實(shí)用新型的提供的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，可生產(chǎn)出具有良好的隔熱、節(jié)能和耐候性能，可同時(shí)滿足紅外線高吸收/反射率，可見光高透過，紫外線高阻隔的產(chǎn)品，也可以生產(chǎn)建筑節(jié)能改造玻璃。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及鍍膜設(shè)備，更具體地說是指一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線。

背景技術(shù)

磁控濺射鍍膜是目前常采用的一種鍍膜方法，國內(nèi)磁控濺射鍍膜設(shè)備分為單面陰極濺射靶位設(shè)計(jì)和單一中頻陰極濺射或者單一直流陰極濺射。不僅設(shè)備產(chǎn)能低、生產(chǎn)成本高，而且工藝產(chǎn)品單一，產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定。目前的磁控濺射腔室內(nèi)部溫度不均勻、不穩(wěn)定，不僅會(huì)影響膜層的特性還會(huì)增加產(chǎn)品的破片率，導(dǎo)致生產(chǎn)良率不高。

現(xiàn)在，用于制造太陽選擇性吸收鍍層的真空鍍膜機(jī)有單真空室鍍膜機(jī)和步進(jìn)式鍍膜生產(chǎn)線。其中單真空鍍膜機(jī)具有結(jié)構(gòu)簡單，價(jià)格低廉優(yōu)勢，由于這種鍍膜機(jī)采用單次循環(huán)鍍膜生產(chǎn)方式每次完成鍍膜生產(chǎn)過程需要對(duì)真空室進(jìn)行放氣及抽真空的循環(huán)操作，濺射環(huán)境氣氛難以穩(wěn)定，鍍膜質(zhì)量沒有保證，效率低下。單機(jī)多臺(tái)操作，設(shè)備狀況難達(dá)到一致并且需要多人操作，易造成性能差異。步進(jìn)式產(chǎn)能較低，單位成本大，并且容易產(chǎn)生針孔、露白等鍍膜缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，包括進(jìn)片室，設(shè)于進(jìn)片室出料端的進(jìn)片緩沖室，設(shè)于進(jìn)片緩沖室出料端的進(jìn)片過渡室，設(shè)于進(jìn)片過渡室出料端的鍍膜室，設(shè)于鍍膜室出料端的出片過渡室，設(shè)于出片過渡室出料端的出片緩沖室，及設(shè)于出片緩沖室出料端的出片室；所述鍍膜室為若干個(gè)，且鍍膜室內(nèi)設(shè)置有若個(gè)干陰極旋轉(zhuǎn)靶位、直流平面靶位。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述進(jìn)片室的進(jìn)料端，進(jìn)片室的出料端與進(jìn)片緩沖室的進(jìn)料端之間，進(jìn)片緩沖室的出料端與進(jìn)片過渡室的進(jìn)料端之間，出片過渡室的出料端與出片緩沖室的進(jìn)料端之間，出片緩沖室的出料端與出片室的進(jìn)料端之間，及出片室的出料端，均設(shè)有真空隔離門。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述真空隔離門包括驅(qū)動(dòng)氣缸，設(shè)于驅(qū)動(dòng)氣缸動(dòng)力輸出端的轉(zhuǎn)軸，固定于轉(zhuǎn)軸的彎桿，及固定于彎桿的密封板；所述驅(qū)動(dòng)氣缸通過轉(zhuǎn)軸及彎桿的聯(lián)動(dòng)，以推動(dòng)密封板運(yùn)動(dòng)。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：還包括真空系統(tǒng)；所述真空系統(tǒng)包括均與進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、鍍膜室、出片過渡室、片緩沖室、出片室聯(lián)通的若干個(gè)機(jī)械真空泵，均與進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、鍍膜室、出片過渡室、片緩沖室、出片室聯(lián)通的若干個(gè)羅茨泵，均與進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、出片過渡室、出片緩沖室聯(lián)通的若干個(gè)擴(kuò)散泵，及與鍍膜室聯(lián)通的若干個(gè)分子泵；所述分子泵設(shè)置于鍍膜室上側(cè)；所述真空系統(tǒng)保證生產(chǎn)線的真空度。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述陰極旋轉(zhuǎn)靶位包括電機(jī)組件、與電機(jī)組件傳動(dòng)聯(lián)接的靶頭組件，固定于靶頭組件的噴涂靶管，及設(shè)于噴涂靶管遠(yuǎn)于靶頭組件一端的靶尾組件；所述噴涂靶管內(nèi)部設(shè)有靶芯組件。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述直流平面靶位包括靶座，設(shè)于靶座下端的銅基材，固定于銅基的靶材；所述靶座下端與銅基材形成有空腔結(jié)構(gòu)，所述空腔結(jié)構(gòu)設(shè)有磁鐵塊。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：所述靶座設(shè)有進(jìn)出水管，且進(jìn)出水管與空腔結(jié)構(gòu)聯(lián)通；所述靶座外側(cè)及遠(yuǎn)于靶材的一端均設(shè)有屏蔽板。

其進(jìn)一步技術(shù)方案為：還包括紅外輻射輔助加熱器；所述紅外輻射輔助加熱器分別設(shè)于進(jìn)片室、進(jìn)片緩沖室、進(jìn)片過渡室、鍍膜室、出片過渡室、出片緩沖室內(nèi)側(cè)；所述鍍膜室內(nèi)，紅外輻射輔助加熱器與陰極旋轉(zhuǎn)靶位、直流平面靶位間隔設(shè)置。