[實用新型]一種磁控濺射鍍膜生產線

有效

• 申請號: 201821620128.8
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN208898988U
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 崔明培;余力;韓金保;龍甫強;蘇龍慶;鄺耀庭;劉思敏
• 申請（專利權）人: 佛山市鉅仕泰粉末冶金有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56;C23C14/54
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 馮筠

1.一種磁控濺射鍍膜生產線，其特征在于，包括進片室，設于進片室出料端的進片緩沖室，設于進片緩沖室出料端的進片過渡室，設于進片過渡室出料端的鍍膜室，設于鍍膜室出料端的出片過渡室，設于出片過渡室出料端的出片緩沖室，及設于出片緩沖室出料端的出片室；所述鍍膜室為若干個，且鍍膜室內設置有若個干陰極旋轉靶位、直流平面靶位。

2.根據權利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜生產線，其特征在于，所述進片室的進料端，進片室的出料端與進片緩沖室的進料端之間，進片緩沖室的出料端與進片過渡室的進料端之間，出片過渡室的出料端與出片緩沖室的進料端之間，出片緩沖室的出料端與出片室的進料端之間，及出片室的出料端，均設有真空隔離門。

3.根據權利要求2所述的一種磁控濺射鍍膜生產線，其特征在于，所述真空隔離門包括驅動氣缸，設于驅動氣缸動力輸出端的轉軸，固定于轉軸的彎桿，及固定于彎桿的密封板；所述驅動氣缸通過轉軸及彎桿的聯動，以推動密封板運動。

4.根據權利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜生產線，其特征在于，還包括真空系統；所述真空系統包括均與進片室、進片緩沖室、進片過渡室、鍍膜室、出片過渡室、片緩沖室、出片室聯通的若干個機械真空泵，均與進片室、進片緩沖室、進片過渡室、鍍膜室、出片過渡室、片緩沖室、出片室聯通的若干個羅茨泵，均與進片緩沖室、進片過渡室、出片過渡室、出片緩沖室聯通的若干個擴散泵，及與鍍膜室聯通的若干個分子泵；所述分子泵設置于鍍膜室上側；所述真空系統保證生產線的真空度。

5.根據權利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜生產線，其特征在于，所述陰極旋轉靶位包括電機組件、與電機組件傳動聯接的靶頭組件，固定于靶頭組件的噴涂靶管，及設于噴涂靶管遠于靶頭組件一端的靶尾組件；所述噴涂靶管內部設有靶芯組件。

6.根據權利要求1至5任一項所述的一種磁控濺射鍍膜生產線，其特征在于，所述直流平面靶位包括靶座，設于靶座下端的銅基材，固定于銅基的靶材；所述靶座下端與銅基材形成有空腔結構，所述空腔結構設有磁鐵塊。

7.根據權利要求6所述的一種磁控濺射鍍膜生產線，其特征在于，所述靶座設有進出水管，且進出水管與空腔結構聯通；所述靶座外側及遠于靶材的一端均設有屏蔽板。

8.根據權利要求4所述的一種磁控濺射鍍膜生產線，其特征在于，還包括紅外輻射輔助加熱器；所述紅外輻射輔助加熱器分別設于進片室、進片緩沖室、進片過渡室、鍍膜室、出片過渡室、出片緩沖室內側；所述鍍膜室內，紅外輻射輔助加熱器與陰極旋轉靶位、直流平面靶位間隔設置。

9.根據權利要求8所述的一種磁控濺射鍍膜生產線，其特征在于，所述鍍膜室為二個以上；所述鍍膜室設有若干個相互聯通的工作室；所述紅外輻射輔助加熱器與陰極旋轉靶位、直流平面靶位分別設于相應的工作室；所述工作室與相應的分子泵聯通。

10.根據權利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜生產線，其特征在于，還包括冷卻裝置，所述冷卻裝置包括冷凍機，冷卻泵，冷水塔及若干導管；所述冷凍機與冷水塔聯通；所述冷卻泵均與所述進片室、進片緩沖室、進片過渡室、鍍膜室、出片過渡室、出片緩沖室、出片室聯通。