[實用新型]一種射頻功率放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821615546.8 | 申請日： | 2018-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN209345111U | 公開（公告）日： | 2019-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王先德;郭開輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 成都控端科技有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/30 | 分類號： | H03F1/30;H05K7/20 |
| 代理公司： | 成都熠邦鼎立專利代理有限公司 51263 | 代理人： | 張晨光 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 真空腔 水冷室 功率放大器模塊 射頻功率放大器 散熱結(jié)構(gòu) 殼體 上殼體 下殼體 凹圈 本實用新型 排熱空間 相變材料 相變散熱 整個結(jié)構(gòu) 風(fēng)扇 散熱 功耗 減小 水冷 填充 下端 驅(qū)動 節(jié)約 | ||
1.一種射頻功率放大器，包括殼體（1）、均設(shè)置在殼體內(nèi)的功率放大器模塊（2）和散熱結(jié)構(gòu)，所述殼體（1）包括上殼體和下殼體，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在上殼體上的第一水冷室（11）、設(shè)置在第一水冷室（11）下方的第一真空腔（12）設(shè)置在第一真空腔（12）周邊的第二真空腔（13），所述第一水冷室（11）的底部設(shè)置有第一凹圈，所述第二真空腔（13）的頂部置于第一凹圈內(nèi)；所述下殼體上設(shè)置有用于固定功率放大器模塊（2）的第二凹槽和置于第二凹槽外的第三凹槽，所述散熱結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在下殼體的第二水冷室（21），所述第二水冷室（21）均位于第二凹槽和第三凹槽的下方，所述第二真空腔（13）的下端卡設(shè)在第三凹槽內(nèi)，所述第二真空腔（13）、第一真空腔（12）內(nèi)均填充有相變材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種射頻功率放大器，其特征在于，所述功率放大器模塊（2）與第一真空腔（12）之間設(shè)置有第一彈簧（31）。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種射頻功率放大器，其特征在于，所述功率放大器模塊（2）的底部和第一真空腔（12）頂部對應(yīng)位置均設(shè)置有用于卡設(shè)第一彈簧（31）的卡槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種射頻功率放大器，其特征在于，所述第二凹槽與功率放大器模塊（2）之間設(shè)置有第二彈簧（32）。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種射頻功率放大器，其特征在于，所述第二凹槽的頂部和功率放大器模塊（2）的底部對應(yīng)位置均設(shè)置有用于卡設(shè)第二彈簧（32）的卡槽。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于成都控端科技有限公司，未經(jīng)成都控端科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821615546.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種多功能場放組件
- 下一篇：運算跨導(dǎo)放大器
