[實(shí)用新型]電源系統(tǒng)及半導(dǎo)體封裝集合體有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821612292.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN208767023U | 公開（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C5/14 | 分類號(hào)： | G11C5/14;G11C11/4074;H01L25/18;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電源系統(tǒng) 內(nèi)部電壓 半導(dǎo)體封裝 集合體 半導(dǎo)體芯片 產(chǎn)生電路 電源芯片 互連結(jié)構(gòu) | ||
1.一種電源系統(tǒng)，其特征在于，包括：
內(nèi)部電壓產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生至少一個(gè)內(nèi)部電壓；
其中，所述至少一個(gè)內(nèi)部電壓用于通過電源芯片互連結(jié)構(gòu)提供給至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源系統(tǒng)，其特征在于，所述內(nèi)部電壓產(chǎn)生電路包括：
至少一個(gè)電壓調(diào)節(jié)器，用于產(chǎn)生所述至少一個(gè)內(nèi)部電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電源系統(tǒng)，其特征在于，所述至少一個(gè)電壓調(diào)節(jié)器包括第一電荷泵電路、第二電荷泵電路、第三電荷泵電路、第一低壓差線性穩(wěn)壓器、第二低壓差線性穩(wěn)壓器以及第三低壓差線性穩(wěn)壓器；其中，
所述第一至第三電荷泵電路分別用于根據(jù)外部電壓輸出第一內(nèi)部電壓、第二內(nèi)部電壓和第三內(nèi)部電壓；
所述第一至第三低壓差線性穩(wěn)壓器分別用于根據(jù)所述外部電壓輸出第四內(nèi)部電壓、第五內(nèi)部電壓和第六內(nèi)部電壓；
其中，所述第一內(nèi)部電壓大于所述外部電壓，所述第二內(nèi)部電壓和所述第三內(nèi)部電壓均與所述外部電壓的極性相反；所述第四至第六內(nèi)部電壓均小于等于所述外部電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電源系統(tǒng)，其特征在于，所述至少一個(gè)電壓調(diào)節(jié)器包括第一低壓差線性穩(wěn)壓器、第一電荷泵電路、第二電荷泵電路、第二低壓差線性穩(wěn)壓器、第三低壓差線性穩(wěn)壓器以及第四低壓差線性穩(wěn)壓器；其中，
所述第一至第四低壓差線性穩(wěn)壓器分別用于根據(jù)外部電壓輸出第一內(nèi)部電壓、第四內(nèi)部電壓、第五內(nèi)部電壓和第六內(nèi)部電壓；
所述第一至第二電荷泵電路分別用于根據(jù)所述外部電壓輸出第二內(nèi)部電壓和第三內(nèi)部電壓；
其中，所述第一內(nèi)部電壓、第四至第六內(nèi)部電壓均小于等于所述外部電壓；所述第二內(nèi)部電壓和所述第三內(nèi)部電壓均與所述外部電壓的極性相反。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的電源系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
參考電壓產(chǎn)生電路，用于生成參考電壓；
其中，各電壓調(diào)節(jié)器分別用于根據(jù)所述外部電壓、所述參考電壓以及電源使能信號(hào)輸出所述第一內(nèi)部電壓、所述第二內(nèi)部電壓、所述第三內(nèi)部電壓、所述第四內(nèi)部電壓、所述第五內(nèi)部電壓以及所述第六內(nèi)部電壓。
6.一種半導(dǎo)體封裝集合體，其特征在于，包括：
封裝基板；
如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的電源系統(tǒng)，所述電源系統(tǒng)設(shè)置于所述封裝基板上；
至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝集合體，其特征在于，所述至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片，所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)半導(dǎo)體芯片具有相同的電功能。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝集合體，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片為存儲(chǔ)芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝集合體，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片為DRAM芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝集合體，其特征在于，所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片依次垂直堆疊于所述電源系統(tǒng)上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝集合體，其特征在于，所述電源芯片互連結(jié)構(gòu)包括硅通孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝集合體，其特征在于，所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片分別直接設(shè)置于所述封裝基板上，所述電源系統(tǒng)直接設(shè)置于所述封裝基板上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝集合體，其特征在于，所述電源芯片互連結(jié)構(gòu)包括金屬導(dǎo)線。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝集合體，其特征在于，所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片依次垂直堆疊于所述封裝基板上，所述電源系統(tǒng)直接設(shè)置于所述封裝基板上。
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