[實用新型]半導體器件有效
| 申請號: | 201821595465.6 | 申請日: | 2018-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN208781820U | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發明(設計)人: | 廖文河;林平杰 | 申請(專利權)人: | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 362200 福建省泉州*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 閥門 真空腔室 半導體器件 壓力傳感器 本實用新型 正常功能 滲漏 隔離 監控 | ||
本實用新型公開一種半導體器件,其包括第一管線、第二管線、第一閥門、第二閥門以及第一真空腔室。第一管線與第二管線分別連接于第一閥門與第二閥門,而第一真空腔室則設置于第一閥門與第二閥門之間。第一真空腔室還設置有一壓力傳感器,由此,可利用所述壓力傳感器隔離并監控所述第一閥門與所述第二閥門的正常功能,進而避免滲漏發生。
技術領域
本實用新型涉及一種半導體器件,特別是涉及一種用于特氣供應系統的半導體器件。
背景技術
半導體工藝目前已被廣泛的應用于各項產業,如傳統的液晶顯示器或是近年來快速成長的微機電產業。而氣體的使用在半導體工藝中一直扮演著重要的角色,舉例來說,半導體工藝中如干式蝕刻、氧化、離子注入、薄膜沉積等都使用到相當多的氣體,氣體的純度則對組件性能、產品良率有著決定性的影響,而氣體供應的安全性則攸關人員的健康與工廠運作的安全。
在半導體行業,特氣(specialty gases)經常作為工藝制造原料,然而特氣供應系統也是半導體廠中危險性最高的一環,任何疏失都可能造成人員、廠房、設備的嚴重損失。特氣包括甲硅烷(SiH4)、砷化氫(AsH3)、磷化氫(PH3)等以鋼瓶供應的氣體,有些氣體如甲硅烷具有自燃性,有些氣體如砷化氫則具有劇毒性或高腐蝕性,一旦發生泄漏即可能造成嚴重危害。再來,因半導體工藝對特氣純度的高要求,在特氣輸送設備中,往往裝置有閥門以防止內漏。由此,特氣供應系統的再改良與防護設計仍為本領域現今的重要課題之一。
實用新型內容
本實用新型的主要目的在于提供一種改良的半導體器件,其是在特氣輸送管路與吹凈氣輸送管路之間額外設置了兩道閥門與一真空腔室,由此可搭配一壓力傳感器實時監控所述真空腔室的氣壓,以適時警示并更換閥門。
為了達到上述目的,本實用新型一方面提供了一種半導體器件,其包括第一管線、第二管線、第一閥門、第二閥門以及第一真空腔室。所述第一管線與所述第二管線分別連接于所述第一閥門與所述第二閥門,而所述第一真空腔室則設置于所述第一閥門與所述第二閥門之間。第一真空腔室還設置有一氣壓傳感器。
所述第一管線與所述第二管線分別供應不同的氣體。
所述第一管線供應一特氣,所述第二管線供應氮氣。
所述第一閥門與所述第二閥門分別包含一截止閥,各所述截止閥直接連接所述第一真空腔室。
該半導體器件還包含一單向閥。
所述單向閥設置于所述截止閥與所述第二管線之間。
還包含第二真空腔室,所述第二真空腔室同樣設置于所述第一閥門與所述第二閥門之間。
所述第二真空腔室包含另一壓力傳感器。
所述第一真空腔室與所述第二真空腔室之間還設置一第三閥門,所述第三閥門包含一截止閥。
所述第一閥門與所述第二閥門分別包含一另一截止閥,所述另一截止閥直接分別連接所述第一真空腔室與所述第二真空腔室。
本實用新型的優點在于,其主要是利用特氣輸送管路與吹凈氣輸送管路之間額外設置的保護閥門(如截止閥),防止特氣污染、稀釋等事故。其還主要分別于連接特氣輸送管路與吹凈氣輸送管路的一端設置截止閥阻隔兩管路,并且還在兩截止閥之間再增設了真空腔室與壓力傳感器,進一步隔離并監控兩截止閥的正常功能。如此,本實施例的保護閥件的防護設計更能有效避免因閥門老舊、損耗而造成的滲漏問題,使得半導體器件的特氣供應更能符合供應質量的要求。
附圖說明
圖1為本實用新型第一優選實施例所繪示的半導體器件的管路示意圖;
圖2為本實用新型第二優選實施例所繪示的半導體器件的管路示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





