[實用新型]半導體器件有效
| 申請號： | 201821595465.6 | 申請日： | 2018-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN208781820U | 公開（公告）日： | 2019-04-23 |
| 發明（設計）人： | 廖文河;林平杰 | 申請（專利權）人： | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 閥門 真空腔室 半導體器件 壓力傳感器 本實用新型 正常功能 滲漏 隔離 監控 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包含：
第一管線；
第一閥門，連接于所述第一管線；
第二管線；
第二閥門，連接于所述第二管線；以及
第一真空腔室，設置于所述第一閥門與所述第二閥門之間，其中所述第一真空腔室設置有壓力傳感器。
2.依據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一管線與所述第二管線分別供應不同的氣體。
3.依據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一管線供應一特氣，所述第二管線供應氮氣。
4.依據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一閥門與所述第二閥門分別包含截止閥，各所述截止閥直接連接所述第一真空腔室。
5.依據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，還包含單向閥。
6.依據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述單向閥設置于所述截止閥與所述第二管線之間。
7.依據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包含第二真空腔室，所述第二真空腔室同樣設置于所述第一閥門與所述第二閥門之間。
8.依據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述第二真空腔室包含另一壓力傳感器。
9.依據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述第一真空腔室與所述第二真空腔室之間還設置第三閥門，所述第三閥門包含截止閥。
10.依據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述第一閥門與所述第二閥門分別包含另一截止閥，所述另一截止閥直接分別連接所述第一真空腔室與所述第二真空腔室。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
