[實用新型]半導體制造設備的排氣監控系統有效
| 申請號: | 201821595020.8 | 申請日: | 2018-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN208738191U | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 排氣壓力 排氣 監控系統 數據收集裝置 半導體制造設備 本實用新型 報警器 監測裝置 預設 壓力表 機臺 報警信號 檢測裝置 人員檢查 實時監控 實時上傳 異常狀況 修正 發現 | ||
本實用新型公開了一種半導體制造設備的排氣監控系統,該排氣監控系統包括排氣壓力監測裝置和數據收集裝置,該排氣壓力監測裝置由壓力表和報警器組成,報警器在實際排氣壓力值超出預設排氣壓力上限值或預設排氣壓力下限值時發出報警信號,提醒操作人員檢查,同時該排氣壓力檢測裝置還與數據收集裝置連接,實時上傳實際排氣壓力值至數據收集裝置。本實用新型的排氣監控系統可以實時監控機臺排氣壓力的狀況,使得排氣異常狀況能夠及時被發現并修正。
技術領域
本實用新型涉及半導體技術領域,特別是涉及一種半導體制造設備的排氣監控系統。
背景技術
半導體制造的很多工序中,都需要排放氣體。以半導體刻蝕工序為例,晶圓刻蝕完成后,需停留在凈化儲存區,進行除氣動作,即抽取凈化儲存區(Purge Storage)內的氣體,使得凈化儲存區獲得一定真空度,從而減少晶圓表面殘留的氣體,避免殘留氣體在后續工序中發生氣體凝結(gas condense)等現象,影響產品良率。
現有的排氣系統中,每臺機臺上均設置有排氣管路,機臺排出的氣體通過排氣管路排出,若機臺的排氣量異常時,會導致晶圓表面氣體殘留量偏高,影響后續加工工藝,利用良品率測試系統檢測產品良品率時,產品良率會降低。若排氣系統中設置多臺機臺,則這些機臺的排氣管路均與廠務端排氣管連接,啟動工作后,各機臺排出的氣體通過總排氣管排出,生產時,每臺機臺上排氣管路的額定排氣壓力(Required Stabile Pressure)在機臺啟動工作前進行設定。在實際制造過程中,如果啟動工作的機臺數量較少,則機臺的實際排氣壓力與額定排氣壓力相等或接近的可能性更高,但如果啟動機臺數量較多時,由于總排氣管排氣量受限,引起單臺機臺的排氣量減少的可能非常高,排氣區的實際排氣壓力低于額定排氣壓力,更導致晶圓表面氣體殘留量偏高,影響后續加工工藝,后續利用良品率降低產品良率。
目前的排氣系統很難及時發現機臺是否出現排氣量異常的狀況,導致排氣量減少時,晶圓仍會攜帶殘留氣體直接進入后續工序,引起缺陷,影響良品率,造成經濟損失;同時也很難判定該缺陷是否因排氣量異常所致,導致產品發生異常后無法快速有效的找到發生產品異常的原因。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本實用新型的目的在于提供一種半導體制造設備的排氣監控系統,以使排氣異常的狀況能夠被發現,并在缺陷產生后,能夠排查該缺陷是否因排氣量異常所致。
為實現上述目的,本實用新型采用如下技術方案:
一種半導體制造設備的排氣監控系統,包括:
排氣壓力監測裝置,包括壓力表,所述排氣壓力監測裝置與需要排氣的機臺上的排氣管路相連;
數據收集裝置,與所述排氣壓力監測裝置通訊連接。
可選的,該半導體制造設備的排氣監控系統還包括報警器,所述報警器在所述壓力表測量的實際排氣壓力值超出預設排氣壓力上限值和排氣壓力下限值之間的范圍時發出報警信息。
可選的,所述壓力表包括電接點壓力表。
可選的,所述排氣管路上裝有排氣調節閥。
可選的,上述半導體制造設備的排氣監控系統中,需要排氣的機臺至少有2臺,每臺機臺的排氣管路上均設置有所述排氣壓力監測裝置。
可選的,所述數據收集裝置還與良品率測試系統通信連接-
本實用新型通過在機臺的排氣管路上安裝排氣壓力監測裝置,可以實時監控機臺實際排氣量的多少,使得排氣異常的狀況能夠被及時發現;并在缺陷產生后,能夠通過排查實際排氣壓力值確定該缺陷是否因排氣量異常導致。
附圖說明
圖1顯示為本實用新型中排氣監控系統一示例性的結構示意圖。
圖2顯示為本實用新型排氣壓力監測裝置一示例性的結構示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





