[實用新型]一種半導體存儲裝置有效
| 申請號： | 201821590455.3 | 申請日： | 2018-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN208722183U | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 柯武生 | 申請（專利權）人： | 廣西桂芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | G06F13/16 | 分類號： | G06F13/16;G06F11/14;G11C7/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 530007 廣西壯族自治區南寧市*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲單元 緩存單元 半導體存儲裝置 數據備份單元 緩存 數據存儲效率 存儲器功能 存儲器核心 分析處理 緩沖模塊 數據傳輸 數據總線 單元化 存儲 采集 保存 申請 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體存儲裝置，其特征在于：包括控制單元、緩存單元、存儲單元和數據備份單元；控制單元分別與緩存單元和存儲單元連接，緩存單元通過數據總線與數據備份單元連接；存儲單元包括若干FLASH閃存芯片和FPGA模塊，FPGA模塊通過I/O引腳分別與若干FLASH閃存芯片進行連接。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述緩存單元采用型號為IDT72V80的FIFO處理芯片。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述控制單元采用型號為EPM7064和EPM7512的兩塊CPCI芯片。
4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述FLASH閃存芯片采用NAND型閃存芯片。
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