[實用新型]一種垂直結構LED芯片

有效

• 申請號: 201821584630.8
• 申請日: 2018-09-27
• 公開（公告）號: CN208781879U
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 鄭洪仿;楊振大;黃經發
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/12
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本實用新型公開了一種垂直結構LED芯片，包括第二鍵合緩沖層、依次設于第二鍵合緩沖層上的第二鍵合金屬層、設于第二鍵合金屬層上的第一鍵合金屬層、設于第一鍵合金屬層上的第一鍵合緩沖層、設于第一鍵合金屬層上的金屬反射層、設于金屬反射層上的第二半導體層、設于第二半導體層上的有源層、設于有源層上的第一半導體層以及設于第一半導體層上的第一電極。本實用新型的垂直結構LED芯片不僅可以消除鍵合綁定時產生的應力，防止金屬溢出，還可以降低芯片的電壓。

技術領域

本實用新型涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種垂直結構LED芯片。

背景技術

LED作為一種新型的綠色照明光源越來越受到人們的重視，其具有節能環保、發光高效、抗靜電、使用壽命長等諸多優點，被應用于各種照明場所。現有的LED芯片主要分為正裝結構、倒裝結構和垂直結構三大類。三大類傳統LED芯片的制作方法中都會使用一種光刻工藝。光刻工藝是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。

光刻工藝包括涂覆光刻膠、曝光和顯影這三個步驟，以光刻膠為掩膜來制作出所需的各種形狀的膜層。其中，光刻工藝的三個步驟中會使用到一些化學試劑，如光刻膠是一種高分子化合物，顯影工藝中用到的顯影液是一種堿性化學試劑，其價格昂貴、成本高，不正確回收處理還會對我們的環境造成污染。針對這些問題，本實用新型專利提供一種創新的制造方法，是一種全工藝制程中無光刻工藝的制造方法。本制造方法主要針對的是垂直結構的LED芯片，因為垂直結構LED芯片結構具有方向性強的特點，是一種垂直于水平面上的膜層累加的結構。此結構特點適用于本實用新型無光刻制造方法的實施。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種垂直結構LED芯片，結構簡單，成本低。

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種垂直結構LED芯片，可以消除鍵合綁定時產生的應力，防止金屬溢出，還可以降低芯片的電壓

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種垂直結構LED芯片，包括第二鍵合緩沖層、依次設于第二鍵合緩沖層上的第二鍵合金屬層、設于第二鍵合金屬層上的第一鍵合金屬層、設于第一鍵合金屬層上的第一鍵合緩沖層、設于第一鍵合金屬層上的金屬反射層、設于金屬反射層上的第二半導體層、設于第二半導體層上的有源層、設于有源層上的第一半導體層以及設于第一半導體層上的第一電極。

作為上述方案的改進，所述第一鍵合緩沖層的結構為Cr/Ti/Pt/Ti/Pt/Ti/Pt。

作為上述方案的改進，所述第一鍵合緩沖層的結構為Cr/Ni/Pt/Ni/Pt。

作為上述方案的改進，所述第一鍵合緩沖層的結構為Cr/Ti/Pt/Ni/Pt。

作為上述方案的改進，所述第二鍵合緩沖層的結構為Cr/Ti/Pt/Ti/Pt/Ti/Pt。

作為上述方案的改進，所述第二鍵合緩沖層的結構為Cr/Ni/Pt/Ni/Pt。

作為上述方案的改進，所述第二鍵合緩沖層的結構為Cr/Ti/Pt/Ni/Pt。

作為上述方案的改進，所述第一鍵合金屬層由Au或Sn或AuSn制成。

作為上述方案的改進，所述第二鍵合金屬層由Au或Sn或AuSn制成。

實施本實用新型，具有如下有益效果：

本實用新型的垂直結構LED芯片，通過設置第一鍵合緩沖層和第二鍵合緩沖層來消除綁定第一鍵合金屬層和第二鍵合金屬層時產生的應力。此外，本實用新型的第一鍵合緩沖層和第二鍵合換從層還可以防止第一鍵合金屬層和第二鍵合金屬層的金屬外溢，提高芯片的良率。