[實(shí)用新型]一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821584630.8 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN208781879U | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-04-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭洪仿;楊振大;黃經(jīng)發(fā) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區(qū)獅*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鍵合金屬層 半導(dǎo)體層 垂直結(jié)構(gòu)LED芯片 緩沖層 鍵合 本實(shí)用新型 金屬反射層 源層 第一電極 消除鍵 溢出 芯片 金屬 | ||
1.一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，包括第二鍵合緩沖層、依次設(shè)于第二鍵合緩沖層上的第二鍵合金屬層、設(shè)于第二鍵合金屬層上的第一鍵合金屬層、設(shè)于第一鍵合金屬層上的第一鍵合緩沖層、設(shè)于第一鍵合金屬層上的金屬反射層、設(shè)于金屬反射層上的第二半導(dǎo)體層、設(shè)于第二半導(dǎo)體層上的有源層、設(shè)于有源層上的第一半導(dǎo)體層以及設(shè)于第一半導(dǎo)體層上的第一電極。
2.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述第一鍵合緩沖層的結(jié)構(gòu)為Cr/Ti/Pt/Ti/Pt/Ti/Pt。
3.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述第一鍵合緩沖層的結(jié)構(gòu)為Cr/Ni/Pt/Ni/Pt。
4.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述第一鍵合緩沖層的結(jié)構(gòu)為Cr/Ti/Pt/Ni/Pt。
5.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述第二鍵合緩沖層的結(jié)構(gòu)為Cr/Ti/Pt/Ti/Pt/Ti/Pt。
6.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述第二鍵合緩沖層的結(jié)構(gòu)為Cr/Ni/Pt/Ni/Pt。
7.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述第二鍵合緩沖層的結(jié)構(gòu)為Cr/Ti/Pt/Ni/Pt。
8.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述第一鍵合金屬層由Au或Sn或AuSn制成。
9.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述第二鍵合金屬層由Au或Sn或AuSn制成。
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