[實(shí)用新型]單晶爐連續(xù)投料連續(xù)生長(zhǎng)的阻隔裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821584171.3
• 申請(qǐng)日: 2018-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208869715U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙建;葛文星;惠澤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江蘇雙良新能源裝備有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B15/02
• 分類(lèi)號(hào): C30B15/02;C30B15/10;C30B29/06
• 代理公司: 江陰市揚(yáng)子專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 32309
• 代理人: 隋玲玲

本實(shí)用新型涉及一種單晶爐連續(xù)投料連續(xù)生長(zhǎng)的阻隔裝置，石英坩堝內(nèi)設(shè)有阻隔器，所述阻隔器為薄壁圓筒結(jié)構(gòu)，所述阻隔器內(nèi)側(cè)設(shè)有晶體，所述阻隔器外側(cè)與石英坩堝之間設(shè)有硅料，所述阻隔器通過(guò)吊裝掛鉤懸掛在熱屏上，所述阻隔器上均布有多個(gè)固定孔，所述阻隔器的底部與石英坩堝的底部留有間隙。本實(shí)用新型利用氮化硅材料不與硅溶液反應(yīng)且不浸潤(rùn)，硅熔點(diǎn)溫度不形變耐溫的特性，形成阻隔作用，阻隔固體料，實(shí)現(xiàn)坩堝外側(cè)化料，內(nèi)側(cè)生長(zhǎng)，底部連通保持生長(zhǎng)位置液面穩(wěn)定。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及硅單晶晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單晶爐連續(xù)投料連續(xù)生長(zhǎng)的阻隔裝置，主要用于單晶硅長(zhǎng)晶爐運(yùn)行過(guò)程中的連續(xù)加料。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的直拉硅單晶爐在完成一爐原料拉晶生產(chǎn)后，需為準(zhǔn)備新一爐的生產(chǎn)做很多繁雜的前期工作，包括停爐冷卻、擦爐、裝料、抽真空、化料等工序。這些繁雜的前期工作，浪費(fèi)了很多時(shí)間。因?yàn)椋總€(gè)生產(chǎn)周期投料量越多，拉制晶體越重，單位能源越小，效率也越高。自直拉法硅單晶生長(zhǎng)爐投入使用以來(lái)，迄今已有93年，但這樣的狀況始終未能得到有效改進(jìn)。此外，石英坩堝自身是有使用壽命的，如何在其使用壽命期間最大限度的提高單爐投料量，提高石英坩堝利用率，一直給相關(guān)生產(chǎn)企業(yè)帶來(lái)嚴(yán)重困擾。

連續(xù)加料技術(shù)的引入增加了單臺(tái)是拉晶爐的生產(chǎn)效率，但是如何有效的實(shí)現(xiàn)CCZ的技術(shù)，加料同時(shí)保持液面穩(wěn)定，中心持續(xù)生長(zhǎng)，此類(lèi)?ài)釄宀牧陷^難實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化生產(chǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供了一種單晶爐連續(xù)投料連續(xù)生長(zhǎng)的阻隔裝置，提供對(duì)固體料的阻隔，實(shí)現(xiàn)坩堝外側(cè)化料，內(nèi)側(cè)生長(zhǎng)，底部連通保持生長(zhǎng)位置液面穩(wěn)定。

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種單晶爐連續(xù)投料連續(xù)生長(zhǎng)的阻隔裝置，石英坩堝內(nèi)設(shè)有阻隔器，所述阻隔器為薄壁圓筒結(jié)構(gòu)，所述阻隔器內(nèi)側(cè)設(shè)有晶體，所述阻隔器外側(cè)與石英坩堝之間設(shè)有硅料，所述阻隔器通過(guò)吊裝掛鉤懸掛在熱屏上，所述阻隔器上均布有多個(gè)固定孔，所述阻隔器的底部與石英坩堝的底部留有間隙。

優(yōu)選的，所述阻隔器為高純度氮化硅材質(zhì)。

優(yōu)選的，所述石英坩堝內(nèi)設(shè)有熔體，所述阻隔器浸入熔體，所述阻隔器的上端面與熔體液面之間的高度為20-100mm。

優(yōu)選的，所述石英坩堝外設(shè)有加料裝置，所述加料裝置位于硅料所在區(qū)域的上方。

優(yōu)選的，所述阻隔器與石英坩堝同心。

本實(shí)用新型的有益效果是：

本實(shí)用新型利用氮化硅材料不與硅溶液反應(yīng)且不浸潤(rùn)，硅熔點(diǎn)溫度不形變耐溫的特性，形成阻隔作用，阻隔固體料，實(shí)現(xiàn)坩堝外側(cè)化料，內(nèi)側(cè)生長(zhǎng)，底部連通保持生長(zhǎng)位置液面穩(wěn)定。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：晶體1；吊裝掛鉤2；熱屏3；阻隔器4；石英坩堝5；熔體6；硅料7。

具體實(shí)施方式

參見(jiàn)圖1，本實(shí)用新型涉及一種單晶爐連續(xù)投料連續(xù)生長(zhǎng)的阻隔裝置，一種單晶爐連續(xù)投料連續(xù)生長(zhǎng)的阻隔裝置，石英坩堝5內(nèi)設(shè)有阻隔器4，所述阻隔器4為薄壁圓筒結(jié)構(gòu)，所述阻隔器4內(nèi)側(cè)設(shè)有晶體1，所述阻隔器4外側(cè)與石英坩堝5之間設(shè)有硅料7，所述阻隔器4通過(guò)吊裝掛鉤2懸掛在熱屏3上，所述阻隔器4隨熱屏3同步升降運(yùn)動(dòng)，所述阻隔器4上均布有多個(gè)固定孔，所述阻隔器4的底部與石英坩堝5的底部留有間隙。

所述阻隔器4為高純度氮化硅材質(zhì)。

所述石英坩堝5內(nèi)設(shè)有熔體6，所述阻隔器4浸入熔體6，所述阻隔器4的上端面與熔體6液面之間的高度為20-100mm。

所述石英坩堝5外設(shè)有加料裝置8，所述加料裝置8位于硅料7所在區(qū)域的上方。