[實用新型]單晶爐連續投料連續生長的阻隔裝置

有效

• 申請號: 201821584171.3
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN208869715U
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 趙建;葛文星;惠澤
• 申請（專利權）人: 江蘇雙良新能源裝備有限公司
• 主分類號: C30B15/02
• 分類號: C30B15/02;C30B15/10;C30B29/06
• 代理公司: 江陰市揚子專利代理事務所(普通合伙) 32309
• 代理人: 隋玲玲

1.一種單晶爐連續投料連續生長的阻隔裝置，其特征在于：石英坩堝（5）內設有阻隔器（4），所述阻隔器（4）為薄壁圓筒結構，所述阻隔器（4）內側設有晶體（1），所述阻隔器（4）外側與石英坩堝（5）之間設有硅料（7），所述晶體（1）外設有阻隔器（4），所述阻隔器（4）通過吊裝掛鉤（2）懸掛在熱屏（3）上，所述阻隔器（4）上均布有多個固定孔，所述阻隔器（4）的底部與石英坩堝（5）的底部留有間隙。

2.根據權利要求1所述的一種單晶爐連續投料連續生長的阻隔裝置，其特征在于：所述阻隔器（4）為高純度氮化硅材質。

3.根據權利要求1所述的一種單晶爐連續投料連續生長的阻隔裝置，其特征在于：所述石英坩堝（5）內設有熔體（6），所述阻隔器（4）浸入熔體（6），所述阻隔器（4）的上端面與熔體（6）液面之間的高度為20-100mm。

4.根據權利要求1所述的一種單晶爐連續投料連續生長的阻隔裝置，其特征在于：所述石英坩堝（5）外設有加料裝置（8），所述加料裝置（8）位于硅料（7）所在區域的上方。

5.根據權利要求1所述的一種單晶爐連續投料連續生長的阻隔裝置，其特征在于：所述阻隔器（4）與石英坩堝（5）同心。