[實(shí)用新型]一種用于真空磁控濺射鍍膜靶材的邦定裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821568226.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN208898983U | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙斌;馬建雨 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 惠州市烯谷新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/35 | 分類號(hào)： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市德錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44352 | 代理人： | 丁敬偉 |
| 地址： | 516000 廣東省惠州市東江*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 加熱裝置 靶材 真空磁控濺射鍍膜 本實(shí)用新型 加熱臺(tái)面 支撐結(jié)構(gòu) 加熱體 功率可調(diào) 均勻布置 連接控制 制造成本 接電 匹配 應(yīng)用 | ||
1.一種用于真空磁控濺射鍍膜靶材的邦定裝置，其特征在于：包括有支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)上設(shè)有加熱裝置，所述加熱裝置包括若干均勻布置的加熱體，所述加熱體分別接電連接控制，所述加熱裝置上放置有與靶材尺寸相匹配的加熱臺(tái)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于真空磁控濺射鍍膜靶材的邦定裝置，其特征在于：所述加熱體為電阻絲加熱盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于真空磁控濺射鍍膜靶材的邦定裝置，其特征在于：所述加熱體下方還設(shè)有用于放置所述加熱體的托盤，所述托盤固定在所述支撐結(jié)構(gòu)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于真空磁控濺射鍍膜靶材的邦定裝置，其特征在于：還包括溫控箱，所述溫控箱用于調(diào)節(jié)所述加熱裝置的通斷和加熱溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于真空磁控濺射鍍膜靶材的邦定裝置，其特征在于：所述托盤上設(shè)有能與所述電阻絲加熱盤相匹配的固定槽，用于防止所述電阻絲加熱盤移動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于真空磁控濺射鍍膜靶材的邦定裝置，其特征在于：所述固定槽上設(shè)有能與電阻絲加熱盤相匹配的供電接口。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于真空磁控濺射鍍膜靶材的邦定裝置，其特征在于：所述電阻絲加熱盤包括電阻絲和用于放置所述電阻絲的陶瓷底盤。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
