[實用新型]一種影像傳感芯片的封裝結構

有效

• 申請號: 201821554415.3
• 申請日: 2018-09-21
• 公開（公告）號: CN208781847U
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 胡津津;王之奇
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力;王寶筠

本申請公開了一種影像傳感芯片的封裝結構，其中，所述影像傳感芯片的封裝結構通過封裝層、基底和影像傳感芯片構成了一個用于設置影像感應區的密閉空腔，并且通過在緩沖層中設置第一凹槽的方式，避免與外界接觸的緩沖層與密閉空腔的直接接觸，而由于作為緩沖層的材料的吸水性能一般較強，將與外界接觸的緩沖層與密閉空腔隔絕，可以避免外界水分通過緩沖層進入影像傳感芯片的封裝結構的密閉空間，從而解決了外界水分容易通過影像傳感芯片的封裝結構進入密閉空腔中，而對影像傳感芯片的影像感應區產生不良影響的問題。

技術領域

本申請涉及半導體封裝技術領域，更具體地說，涉及一種影像傳感芯片的封裝結構。

背景技術

影像傳感芯片是一種能夠感受外部光線并將其轉換成電信號的傳感芯片。在影像傳感芯片制作完成后，再通過對影像傳感芯片進行一系列的封裝工藝，從而形成封裝好的影像傳感芯片，以用于諸如數碼相機、數碼攝像機等各種電子設備。

在影像傳感芯片的封裝結構中，需要為影像傳感芯片的影像感應區提供一個密閉空腔，并為該密閉空腔提供良好的放水防潮特性，以使影像傳感芯片的影像感應區免受外界水汽的侵蝕。但在現有技術中的封裝結構中，外界的水分容易通過封裝結構進入該密閉空腔中，而對影像傳感芯片的影像感應區產生不良影響。

實用新型內容

為解決上述技術問題，本申請提供了一種影像傳感芯片的封裝結構，以解決外界水分容易通過影像傳感芯片的封裝結構進入密閉空腔中而對影像傳感芯片的影像感應區產生不良影響的問題。

為實現上述技術目的，本申請實施例提供了如下技術方案：

一種影像傳感芯片的封裝結構，包括：

基底；

位于所述基底表面的緩沖層；

貫穿所述緩沖層的第一凹槽，所述第一凹槽暴露出部分所述基底表面；

覆蓋所述緩沖層和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金屬層；

貫穿所述金屬層和所述緩沖層的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面；所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周緣；

倒裝于所述基底上的影像傳感芯片，所述影像傳感芯片包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面中設置有影像感應區和環繞所述影像感應區的第一焊盤，所述第一焊盤和所述金屬層電連接，所述影像感應區朝向所述第二凹槽；

至少覆蓋所述影像傳感芯片的側壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金屬層的封裝層。

可選的，所述緩沖層和所述金屬層在所述基底上的正投影部分或全部覆蓋所述基底的布線區表面。

可選的，所述封裝層為覆蓋所述影像傳感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金屬層的塑封層。

可選的，所述封裝層為覆蓋所述影像傳感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金屬層和所述基底裸露表面的塑封層。

可選的，還包括貫穿所述塑封層的連接端子，所述連接端子與所述金屬層電性連接。

可選的，所述連接端子的高度大于所述塑封層的高度。

可選的，所述封裝層為覆蓋所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像傳感芯片側壁的點膠層。

可選的，還包括：設置于所述金屬層上的連接端子，所述連接端子的高度大于所述影像傳感芯片與所述金屬層之間的垂直距離。

可選的，還包括：位于所述第一焊盤與所述金屬層之間的金屬凸塊，所述金屬凸塊與所述金屬層和所述第一焊盤均電性連接。

可選的，所述第一凹槽與所述第二凹槽之間設置有部分所述緩沖層。