[實用新型]一種影像傳感芯片的封裝結構有效
| 申請號： | 201821554415.3 | 申請日： | 2018-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN208781847U | 公開（公告）日： | 2019-04-23 |
| 發明（設計）人： | 胡津津;王之奇 | 申請（專利權）人： | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱宗力;王寶筠 |
| 地址： | 215021 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 影像傳感芯片 封裝結構 緩沖層 密閉空腔 外界接觸 影像感應 密閉空間 水分通過 吸水性能 封裝層 基底 申請 | ||
1.一種影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底表面的緩沖層；
貫穿所述緩沖層的第一凹槽，所述第一凹槽暴露出部分所述基底表面；
覆蓋所述緩沖層和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金屬層；
貫穿所述金屬層和所述緩沖層的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面；所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周緣；
倒裝于所述基底上的影像傳感芯片，所述影像傳感芯片包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面中設置有影像感應區和環繞所述影像感應區的第一焊盤，所述第一焊盤和所述金屬層電連接，所述影像感應區朝向所述第二凹槽；
至少覆蓋所述影像傳感芯片的側壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金屬層的封裝層。
2.根據權利要求1所述的影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，所述緩沖層和所述金屬層在所述基底上的正投影部分或全部覆蓋所述基底的布線區表面。
3.根據權利要求2所述的影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，所述封裝層為覆蓋所述影像傳感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金屬層的塑封層。
4.根據權利要求2所述的影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，所述封裝層為覆蓋所述影像傳感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金屬層和所述基底裸露表面的塑封層。
5.根據權利要求3或4任一項所述的影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，還包括貫穿所述塑封層的連接端子，所述連接端子與所述金屬層電性連接。
6.根據權利要求5所述的影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，所述連接端子的高度大于所述塑封層的高度。
7.根據權利要求2所述的影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，所述封裝層為覆蓋所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像傳感芯片側壁的點膠層。
8.根據權利要求7所述的影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，還包括：設置于所述金屬層上的連接端子，所述連接端子的高度大于所述影像傳感芯片與所述金屬層之間的垂直距離。
9.根據權利要求1所述的影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，還包括：位于所述第一焊盤與所述金屬層之間的金屬凸塊，所述金屬凸塊與所述金屬層和所述第一焊盤均電性連接。
10.根據權利要求1所述的影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，所述第一凹槽與所述第二凹槽之間設置有部分所述緩沖層。
11.根據權利要求1所述的影像傳感芯片的封裝結構，其特征在于，所述第一凹槽與所述第二凹槽貫通。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
