[實(shí)用新型]一種負(fù)壓斷路關(guān)斷型CMOS射頻整流器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821544135.4
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN208754200U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韋保林;韓懷宇;李興旺;徐衛(wèi)林;韋雪明;段吉海;岳宏衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02M7/219;H02M1/088
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

本實(shí)用新型公開一種負(fù)壓斷路關(guān)斷型CMOS射頻整流器，包括負(fù)壓產(chǎn)生單元、電平移位單元和可斷路關(guān)斷射頻整流單元；負(fù)壓產(chǎn)生單元和可斷路關(guān)斷射頻整流單元的差分輸入正端接正射頻信號RF+；負(fù)壓產(chǎn)生單元和可斷路關(guān)斷射頻整流單元的差分輸入負(fù)端接負(fù)射頻信號RF?；電平移位單元的的電源極接電源V_DD，電平移位單元的控制端接控制信號V_CTR；負(fù)壓產(chǎn)生單元的輸出連接電平移位單元的輸入端；電平移位單元的輸出接可斷路關(guān)斷射頻整流單元的輸入端；可斷路關(guān)斷射頻整流單元的輸出端作為整個整流器的輸出端。本實(shí)用新型在使能狀態(tài)時具有較高的PCE，在關(guān)斷狀態(tài)時具有較低的P_OFF，電路結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計容易，版圖面積小，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種負(fù)壓斷路關(guān)斷型CMOS射頻整流器。

背景技術(shù)

隨著低功耗電路的發(fā)展，微電子設(shè)備可以通過收集環(huán)境中的射頻能量為自身供電，如何提高射頻能量收集系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)化效率(PCE)成為熱門話題。整流器是射頻收集系統(tǒng)的重要組成部分，對整流器進(jìn)行適當(dāng)?shù)年P(guān)斷控制可有效地提高射頻能量收集系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)化效率。然而，傳統(tǒng)的可關(guān)斷整流器采用短路關(guān)斷法，在射頻信號通路上加入關(guān)斷控制管，當(dāng)控制管導(dǎo)通時實(shí)現(xiàn)短路關(guān)斷，關(guān)斷功耗主要由控制管的導(dǎo)通功耗產(chǎn)生，關(guān)斷功耗(P_OFF)較大，不利于提高PCE。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的是現(xiàn)有的可關(guān)斷整流器關(guān)斷時關(guān)斷功耗P_OFF較大的問題，提供一種負(fù)壓斷路關(guān)斷型CMOS射頻整流器。

為解決上述問題，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種負(fù)壓斷路關(guān)斷型CMOS射頻整流器，包括負(fù)壓產(chǎn)生單元、電平移位單元和可斷路關(guān)斷射頻整流單元；負(fù)壓產(chǎn)生單元和可斷路關(guān)斷射頻整流單元的差分輸入正端接正射頻信號RF+；負(fù)壓產(chǎn)生單元和可斷路關(guān)斷射頻整流單元的差分輸入負(fù)端接負(fù)射頻信號RF-；電平移位單元的的電源極接電源V_DD，電平移位單元的控制端接控制信號V_CTR；負(fù)壓產(chǎn)生單元的輸出連接電平移位單元的輸入端；電平移位單元的輸出接可斷路關(guān)斷射頻整流單元的輸入端；可斷路關(guān)斷射頻整流單元的輸出端作為整個整流器的輸出端。

上述方案中，負(fù)壓產(chǎn)生單元由NMOS管MN₁、MN₂，PMOS管MP₁、MP₂和電容C₁-C₃構(gòu)成；NMOS管MN₁的漏極、PMOS管MP₁的漏極、NMOS管MN₂的柵極、PMOS管MP₂的柵極和電容C₁的下極板相連，電容C₁的上極板形成負(fù)壓產(chǎn)生單元的差分輸入正端；NMOS管MN₂的漏極、PMOS管MP₂的漏極、NMOS管MN₁的柵極、PMOS管MP₁的柵極和電容C₂的上極板相連，電容C₂的下極板形成負(fù)壓產(chǎn)生單元的差分輸入負(fù)端；NMOS管MN₁的源極和NMOS管MN₂的源極和電容C₃的上極板相連后，形成負(fù)壓產(chǎn)生單元的輸出端；電容C₃的下極板、PMOS管MP₁的源極和PMOS管MP₂的源極接地。