[實(shí)用新型]一種負(fù)壓斷路關(guān)斷型CMOS射頻整流器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821544135.4
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號(hào): CN208754200U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韋保林;韓懷宇;李興旺;徐衛(wèi)林;韋雪明;段吉海;岳宏衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H02M7/217
• 分類號(hào): H02M7/217;H02M7/219;H02M1/088
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種負(fù)壓斷路關(guān)斷型CMOS射頻整流器，其特征是，包括負(fù)壓產(chǎn)生單元、電平移位單元和可斷路關(guān)斷射頻整流單元；負(fù)壓產(chǎn)生單元和可斷路關(guān)斷射頻整流單元的差分輸入正端接正射頻信號(hào)RF+；負(fù)壓產(chǎn)生單元和可斷路關(guān)斷射頻整流單元的差分輸入負(fù)端接負(fù)射頻信號(hào)RF-；電平移位單元的電源極接電源V_DD，電平移位單元的控制端接控制信號(hào)V_CTR；負(fù)壓產(chǎn)生單元的輸出連接電平移位單元的輸入端；電平移位單元的輸出接可斷路關(guān)斷射頻整流單元的輸入端；可斷路關(guān)斷射頻整流單元的輸出端作為整個(gè)整流器的輸出端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)壓斷路關(guān)斷型CMOS射頻整流器，其特征是，負(fù)壓產(chǎn)生單元由NMOS管MN₁、MN₂，PMOS管MP₁、MP₂和電容C₁-C₃構(gòu)成；

NMOS管MN₁的漏極、PMOS管MP₁的漏極、NMOS管MN₂的柵極、PMOS管MP₂的柵極和電容C₁的下極板相連，電容C₁的上極板形成負(fù)壓產(chǎn)生單元的差分輸入正端；

NMOS管MN₂的漏極、PMOS管MP₂的漏極、NMOS管MN₁的柵極、PMOS管MP₁的柵極和電容C₂的上極板相連，電容C₂的下極板形成負(fù)壓產(chǎn)生單元的差分輸入負(fù)端；

NMOS管MN₁的源極和NMOS管MN₂的源極和電容C₃的上極板相連后，形成負(fù)壓產(chǎn)生單元的輸出端；電容C₃的下極板、PMOS管MP₁的源極和PMOS管MP₂的源極接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)壓斷路關(guān)斷型CMOS射頻整流器，其特征是，電平移位單元由NMOS管MN₃、MN₄，PMOS管MP₃、MP₄和反相器A構(gòu)成；

PMOS管MP₃的源極和PMOS管MP₄的源極相連后形成電平移位單元的電源極；NMOS管MN₃的源極和NMOS管MN₄的源極后形成電平移位單元的輸入端；

PMOS管MP₃的柵極連接反相器A的輸入端，PMOS管MP₄的柵極連接反相器A的輸出端，PMOS管MP₃的柵極形成電平移位單元的控制端；

NMOS管MN₃的柵極接NMOS管MN₄的漏極，NMOS管MN₄的柵極接NMOS管MN₃的漏極，PMOS管MP₄的漏極形成電平移位單元的輸出端。