[實(shí)用新型]一種柔性IGZO薄膜晶體管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821543910.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209045571U | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曾志遠(yuǎn);鐘祥桂;羅敬凱;張沈鈞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/786 | 分類號(hào): | H01L29/786;H01L29/49 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絕緣層 金屬層 薄膜晶體管 鉑層 本實(shí)用新型 第二金屬層 第一金屬層 晶體管技術(shù) 半導(dǎo)體層 結(jié)構(gòu)器件 液晶屏幕 依次層疊 柵極區(qū)域 玻璃層 單柵極 可靠度 晶體管 頂柵 金層 鈦層 替代 | ||
本實(shí)用新型涉及晶體管技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種柔性IGZO薄膜晶體管,包括玻璃層、第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層和第三金屬層;通過在面板內(nèi)的柵極區(qū)域增加第三金屬層作為TFT器件的頂柵,替代現(xiàn)有技術(shù)中單柵極TFT結(jié)構(gòu)器件,將第三金屬層按第一鉑層、鈦層、第二鉑層和金層依次層疊而成;這樣能夠有效提高膜晶體管的可靠度,使得液晶屏幕的顯示更為精確且穩(wěn)定。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及晶體管技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種柔性IGZO薄膜晶體管。
背景技術(shù)
隨著顯示科技的進(jìn)步,薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)由于具有輕、薄、低輻射以及體積小而不占空間的優(yōu)勢(shì),目前已成為顯示器市場(chǎng)的主力產(chǎn)品,為應(yīng)液晶顯示產(chǎn)品的快速發(fā)展,液晶面板廠商的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日增。如何提升薄膜晶體管的效能、可靠性與降低制作成本,皆為重要的發(fā)展目標(biāo)。
雙柵極結(jié)構(gòu)TFT器件相較于傳統(tǒng)單柵極結(jié)構(gòu)TFT器件表現(xiàn)出更好的電學(xué)穩(wěn)定性和更強(qiáng)的柵控能力,然而,目前的雙柵極結(jié)構(gòu)TFT器件結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,以及制備方法需要增加制程工藝復(fù)雜度,因而會(huì)大大降低產(chǎn)品品質(zhì),不利于廣泛應(yīng)用。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種柔性IGZO薄膜晶體,在不增加制程成本的情況下有效提高薄膜晶體管的可靠度,使得液晶屏幕的顯示更為精確且穩(wěn)定。
為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:
一種柔性IGZO薄膜晶體管,包括玻璃層、第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層和第三金屬層;
所述第一金屬層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層和第二絕緣層依次設(shè)置在玻璃層表面,所述第二絕緣層上設(shè)有兩個(gè)的第一過孔,所述第二金屬層填充于所述第一過孔中且與半導(dǎo)體層接觸,所述第三絕緣層一側(cè)面分別與第二金屬層遠(yuǎn)離玻璃層的一側(cè)面以及第二絕緣層遠(yuǎn)離玻璃層的一側(cè)面接觸,所述第三金屬層與所述第三絕緣層另一側(cè)面接觸;
所述第三金屬層為層狀結(jié)構(gòu)且由第一鉑層、鈦層、第二鉑層和金層依次層疊而成,所述第一鉑層與所述第三絕緣層另一側(cè)面接觸。
進(jìn)一步的,所述第一鉑層、鈦層和第二鉑層的厚度均為0.02-0.04μm,所述金層的厚度為0.5-0.8μm。
進(jìn)一步的,所述第一鉑層的厚度為0.03μm,所述鈦層的厚度為0.036μm,所述第二鉑層的厚度為0.03μm,所述金層的厚度為0.765μm。
進(jìn)一步的,所述第一鉑層、鈦層、第二鉑層和金層的厚度比為1:1.2:1:25.5。
進(jìn)一步的,所述半導(dǎo)體層的氧化物介質(zhì)為IGZO。
進(jìn)一步的,在柔性IGZO薄膜晶體管的豎直方向上,所述第一過孔對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層位置設(shè)置。
本實(shí)用新型的有益效果在于:通過在面板內(nèi)的柵極區(qū)域增加第三金屬層作為TFT器件的頂柵,替代現(xiàn)有技術(shù)中單柵極TFT結(jié)構(gòu)器件,將第三金屬層按第一鉑層、鈦層、第二鉑層和金層依次層疊而成;這樣能夠有效提高薄膜晶體管的可靠度,使得液晶屏幕的顯示更為精確且穩(wěn)定。
附圖說明
圖1所示為根據(jù)本實(shí)用新型的一種柔性IGZO薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2所示為根據(jù)本實(shí)用新型的一種柔性IGZO薄膜晶體管的圖1中A區(qū)局部放大示意圖;
標(biāo)號(hào)說明:
1、玻璃層;2、第一金屬層;3、第一絕緣層;4、半導(dǎo)體層;5、第二絕緣層;6、第二金屬層;7、第三絕緣層;8、第三金屬層;9、第一鉑層;10、鈦層;11、第二鉑層;12、金層。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





