[實用新型]一種納米級結構疏水防水膜

有效

• 申請號: 201821542815.2
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN208791749U
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 楊福年;鄭錫文
• 申請（專利權）人: 東莞市和域戰士納米科技有限公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/513
• 代理公司: 深圳市智圈知識產權代理事務所(普通合伙) 44351
• 代理人: 韓紹君

本實用新型公開了一種納米級結構疏水防水膜，在PCB電路板表層從內向外依次設置有第一氟碳乙烯基硅烷防水等離子納米鍍膜層、PEVCD氣相沉積聚苯乙烯納米薄層、納米防水膜層、氮化硅防水鍍膜層和第二氟碳乙烯基硅烷防水等離子納米鍍膜層。本實用新型采用反復進行PECVD多次鍍膜而在PCB電路板產品表面沉積不同結構的等離子納米結構防水膜，具有良好的防水性、疏水性、透氣性、抗臟污性、耐鹽霧、耐酸堿、導電作用，膜層的厚度為納米級薄膜，防水等級為八級以上，不容易擊穿，導電性好，不影響產品本身的特性。

技術領域

本實用新型涉及防水材料技術領域，特別涉及一種納米級結構疏水防水膜。

背景技術

潤濕性是防水材料的重要表征之一，關于疏水性防水膜大多制造成本高，工藝復雜或者難以大面積推廣等缺點。現有的防水膜往往通過涂覆等方式形成在產品表面，附著性和耐磨性低，形成的防水膜厚度在70-100um，沒有與產品形成微觀的分子與分子間的物理化學連接，使用壽命短，容易脫落，防水等級低，或者多次摩擦后容易脫落。離子體增強化學氣相沉積PECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜，為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應。

實用新型內容

本實用新型的目的在于，針對現有技術的不足，提供一種納米級結構疏水防水膜，采用多次PECVD多次鍍膜而形成納米級致密防水膜，具有良好的防水性、疏水性、透氣性、抗臟污性、耐鹽霧、耐酸堿、導電作用，防水等級為八級以上，不容易擊穿，導電性好，不影響產品本身的特性。

為實現上述目的，本實用新型所提供的技術方案是:

一種納米級結構疏水防水膜，在PCB電路板表層從內向外依次設置有第一氟碳乙烯基硅烷防水等離子納米鍍膜層、PEVCD氣相沉積聚苯乙烯納米薄層、納米防水膜層、氮化硅防水鍍膜層和第二氟碳乙烯基硅烷防水等離子納米鍍膜層。

優選地，所述的第一氟碳乙烯基硅烷防水等離子納米鍍膜層和第二氟碳乙烯基硅烷防水等離子納米鍍膜層均是由氟碳化合物與乙烯基硅烷樹脂經等離子電漿鍍膜相聚合而形成的，厚度均為50-500nm。

優選地，所述的PEVCD氣相沉積聚苯乙烯納米薄層是由聚苯乙烯與硅球納米顆粒混合物經等離子電漿鍍膜相聚合而形成的，厚度為100-600nm。

優選地，所述的納米防水膜層是由氟碳化合物與純氫氣經PECVD法電離后新聚合而形成的納米防水膜，厚度為5-100nm。

優選地，所述的氮化硅防水鍍膜層是由碳化硅利用等離子體增強化學氣相沉積在納米防水膜層的氮化硅薄膜層。

優選地，該納米級結構疏水防水膜的厚度為300-3000nm。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果為：

本實用新型提供的納米級結構疏水防水膜，采用反復進行PECVD多次鍍膜而在PCB電路板產品表面沉積不同結構的等離子納米結構防水膜，形成新聚合、復合而成的防水膜，各膜層之間可以形成很好的微觀分子鍵合，各膜層之間協同互助，能夠很好的附著于產品基體表面，而且具有良好的防水性、疏水性、透氣性、抗臟污性、耐鹽霧、耐酸堿、導電作用，膜層的厚度為納米級薄膜，處理后不影響產品本身的外觀、結構、材質和特性如導電性。防水等級為八級以上，不容易擊穿，導電性好，可廣泛應用于電子產品，具有巨大的市場潛力和市場價值。

下面結合附圖與實施例，對本實用新型作進一步說明。

附圖說明

圖1是本實用新型的整體結構示意圖。

具體實施方式