[實用新型]一種納米級結(jié)構(gòu)疏水防水膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821542815.2 | 申請日： | 2018-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN208791749U | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊福年;鄭錫文 | 申請（專利權(quán)）人： | 東莞市和域戰(zhàn)士納米科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/34 | 分類號： | C23C16/34;C23C16/513 |
| 代理公司： | 深圳市智圈知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44351 | 代理人： | 韓紹君 |
| 地址： | 523000 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子 防水膜 防水 本實用新型 納米鍍膜層 納米級結(jié)構(gòu) 乙烯基硅烷 氟碳 疏水 聚苯乙烯納米 導(dǎo)電性 納米級薄膜 產(chǎn)品表面 導(dǎo)電作用 防水鍍膜 防水膜層 納米結(jié)構(gòu) 氣相沉積 依次設(shè)置 影響產(chǎn)品 氮化硅 防水性 耐酸堿 耐鹽霧 疏水性 透氣性 薄層 鍍膜 擊穿 膜層 臟污 沉積 | ||
1.一種納米級結(jié)構(gòu)疏水防水膜，其特征在于，在PCB電路板表層從內(nèi)向外依次設(shè)置有第一氟碳乙烯基硅烷防水等離子納米鍍膜層、PEVCD氣相沉積聚苯乙烯納米薄層、納米防水膜層、氮化硅防水鍍膜層和第二氟碳乙烯基硅烷防水等離子納米鍍膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的納米級結(jié)構(gòu)疏水防水膜，其特征在于，所述的第一氟碳乙烯基硅烷防水等離子納米鍍膜層和第二氟碳乙烯基硅烷防水等離子納米鍍膜層均是由氟碳化合物與乙烯基硅烷樹脂經(jīng)等離子電漿鍍膜相聚合而形成的，厚度均為50-500nm。
3.如權(quán)利要求1所述的納米級結(jié)構(gòu)疏水防水膜，其特征在于，所述的PEVCD氣相沉積聚苯乙烯納米薄層是由聚苯乙烯與硅球納米顆粒混合物經(jīng)等離子電漿鍍膜相聚合而形成的，厚度為100-600nm。
4.如權(quán)利要求1所述的納米級結(jié)構(gòu)疏水防水膜，其特征在于，所述的納米防水膜層是由氟碳化合物與純氫氣經(jīng)PECVD法電離后新聚合而形成的納米防水膜，厚度為5-100nm。
5.如權(quán)利要求1所述的納米級結(jié)構(gòu)疏水防水膜，其特征在于，所述的氮化硅防水鍍膜層是由碳化硅利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積在納米防水膜層的氮化硅薄膜層。
6.如權(quán)利要求1所述的納米級結(jié)構(gòu)疏水防水膜，其特征在于，該納米級結(jié)構(gòu)疏水防水膜的厚度為300-3000nm。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
