[實用新型]埋入式字線結構及存儲器

有效

• 申請號: 201821533453.0
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN208655651U
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本實用新型涉及集成電路領域，提供了一種埋入式字線結構及存儲器。所述埋入式字線結構包括具有溝槽的基底以及形成于溝槽中的字線，溝槽包括沿深度方向相互連通的第一溝槽和第二溝槽，其中第二溝槽遠離基底表面，且第二溝槽的平均寬度大于第一溝槽的平均寬度，即字線的下端較上端寬，有助于減小字線的電阻以及減小尖端聚集效應，在用作存儲器的晶體管時，有利于晶體管的可靠性。所述存儲器包括上述埋入式字線結構。

技術領域

本實用新型涉及集成電路領域，特別涉及一種埋入式字線結構以及包含所述埋入式字線結構的存儲器。

背景技術

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存儲器是較為常見的系統內存，其中每個存儲單元(cell)包括一個晶體管和一個對應的電容，利用電容內存儲電荷的多寡來代表0和1，為了避免電荷不足導致數據出錯，需要周期性地刷新電容。為提升DRAM的集成度以加快對每個存儲單元的操作速度，以及應對來自PC、智能手機、平板等市場對DRAM的強勁需求，近年來發展出了埋入式字線DRAM(即buried word line DRAM)結構以滿足上述需求。

在埋入式字線DRAM結構中，埋入式字線形成于襯底內并與襯底內的有源區相交，從而部分字線可以用作存儲單元的晶體管的柵極，晶體管的源漏區形成于該柵極兩側的襯底中。但是，利用目前工藝雖然DRAM的集成度得到了提高，但是埋入式字線與基底接觸的下端寬度較小，較尖，導致字線電阻值大以及尖端聚集效應明顯，造成晶體管的性能和可靠性均較差。

實用新型內容

針對目前工藝形成的埋入式字線DRAM結構存在的晶體管性能及可靠性較差的問題，本實用新型提供了一種埋入式字線結構以及包含所述埋入式字線結構的存儲器，目的是減小字線的電阻值以及提高晶體管的可靠性。

根據本實用新型的一個方面，提供了一種埋入式字線結構，包括：

基底，所述基底中具有溝槽，所述溝槽沿平行于所述基底表面的方向延伸，所述溝槽包括沿深度方向相互連通的第一溝槽和第二溝槽，其中，所述第二溝槽遠離所述基底表面，且所述第二溝槽的平均寬度大于所述第一溝槽的平均寬度；以及形成于所述溝槽中的字線，所述字線填滿所述第二溝槽并填充部分所述第一溝槽。

可選的，所述埋入式字線結構還包括：

柵介質層，所述柵介質層覆蓋于所述溝槽的內壁以將所述字線與所述基底隔開；以及覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述字線并填滿所述第一溝槽。

可選的，所述第一溝槽包括相對的第一側壁和第二側壁，所述第一側壁和所述第二側壁相互平行。

可選的，沿垂直于所述溝槽延伸的方向，所述第二溝槽的截面包括非封閉的圓形、橢圓形、方形、梯形、五邊形、六邊形中的一種或者兩種以上的組合。

可選的，所述字線的材料包括金屬、金屬硅化物、金屬氮化物、導電的多晶硅所組成的組中的一種或者兩種以上的組合。

根據本實用新型的另一方面，還提供一種存儲器，包括上述埋入式字線結構。

本實用新型提供的埋入式字線結構包括具有溝槽的基底以及形成于所述溝槽中的字線，所述溝槽包括沿深度方向相互連通的第一溝槽和第二溝槽，其中，所述第二溝槽遠離基底表面，且所述第二溝槽的平均寬度大于所述第一溝槽的平均寬度，即填充于基底內的字線的下端較上端寬，在用作存儲器的晶體管的柵極時，有助于減小尖端聚集效應，提高晶體管的可靠性。并且，本實用新型提供的埋入式字線結構的與基底的接觸面積較大，從而可以減小字線的電阻值，在用作存儲器時，有利于提高存儲器的操作速度。

本實用新型提供的存儲器包括上述埋入式字線結構，因而具有與上述埋入式字線結構相同或類似的優點。

附圖說明

圖1是一種存儲器的埋入式字線結構的剖面示意圖。