[實用新型]埋入式字線結構及存儲器

有效

• 申請號: 201821533453.0
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN208655651U
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種埋入式字線結構，其特征在于，包括：

基底，所述基底中具有溝槽，所述溝槽沿平行于所述基底表面的方向延伸，所述溝槽包括沿深度方向相互連通的第一溝槽和第二溝槽，其中，所述第二溝槽遠離所述基底表面，且所述第二溝槽的平均寬度大于所述第一溝槽的平均寬度；以及

形成于所述溝槽中的字線，所述字線填滿所述第二溝槽并填充部分所述第一溝槽。

2.如權利要求1所述的埋入式字線結構，其特征在于，還包括：

柵介質層，所述柵介質層覆蓋于所述溝槽的內壁以將所述字線與所述基底隔開；以及

覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述字線并填滿所述第一溝槽。

3.如權利要求1所述的埋入式字線結構，其特征在于，所述第一溝槽包括相對的第一側壁和第二側壁，所述第一側壁和所述第二側壁相互平行。

4.如權利要求1所述的埋入式字線結構，其特征在于，沿垂直于所述溝槽延伸的方向，所述第二溝槽的截面包括非封閉的圓形、橢圓形、方形、梯形、五邊形、六邊形中的一種或者兩種以上的組合。

5.如權利要求1所述的埋入式字線結構，其特征在于，所述字線的材料包括金屬、金屬硅化物、金屬氮化物、導電的多晶硅所組成的組中的一種或者兩種以上的組合。

6.一種存儲器，其特征在于，包括如權利要求1至5任一項所述的埋入式字線結構。