[實用新型]一種濺射鍍膜陰極系統

有效

• 申請號: 201821531010.8
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN209227050U
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 王策;李先林;呂勇
• 申請（專利權）人: 華夏易能（海南）新能源科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489
• 代理人: 陳超

一種濺射鍍膜陰極系統，包括：旋轉磁體、固定磁體和屏蔽罩；所述屏蔽罩一側設置有開口，且所述旋轉磁體和所述固定磁體設置在所述屏蔽罩內部。該系統可以消除靶材端部拐彎處刻蝕非常嚴重，而中部區域卻相對刻蝕較淺的現象，進而提高靶材利用率；可以減少實際應用中由于磁場分布的不均勻造成靶材的刻蝕區域的不均勻性問題，從而提高靶材利用率；還可以提高鍍膜層均勻性，從而提高產品質量；還具有結構簡單、可靠性高、成本低等優勢。

技術領域

本發明涉及磁控濺射技術領域，尤其涉及一種濺射鍍膜陰極系統。

背景技術

目前，在磁控濺射鍍膜技術應用領域中，使用最廣泛的是平面磁控濺射陰極。最常見的兩種平面磁控濺射陰極包括圓形靶磁控濺射陰極和矩形靶磁控濺射陰極。

現有的上述矩形平面靶材磁控濺射陰極的缺點在于：

第一、通常情況下只有20％～30％利用率。而濺射靶材是磁控濺射的主要耗材，低利用率無疑會造成靶材的極大浪費，導致濺射成本的提高。

第二、由于靶面的非均勻刻蝕(對角線效應)使其端部拐彎處刻蝕非常嚴重，而中部區域相對刻蝕較淺，并且刻蝕嚴重的位置總是成對角線分布。靶面的非均勻刻蝕總是使其在某些位置先被刻穿，從而縮短了靶的壽命，降低了靶材利用率。

第三、在鍍膜過程中，隨著靶材的消耗特別是靶材快使用完畢的時候，由于靶材各處刻蝕不均勻，導致膜層的均勻性會變差。

第四、靶材上濺射跑道之外未被離子轟擊到的區域會累積一些雜質，在鍍膜過程中，這些區域表面上的雜質由于溫度升高或者被雜散離子轟擊，也會部分釋放出來，摻入薄膜中，會造成鍍膜純度的降低，形成污染。

實用新型內容

(一)實用新型目的

本實用新型的目的是提供一種濺射鍍膜陰極系統，解決靶材的利用率很低、鍍膜品質差等問題。

(二)技術方案

為解決上述問題，本實用新型的第一方面提供了一種濺射鍍膜陰極系統，包括：旋轉磁體、固定磁體和屏蔽罩；所述屏蔽罩一側設置有開口，且所述旋轉磁體和所述固定磁體設置在所述屏蔽罩內部。

進一步地，其中所述旋轉陰極包括中心磁體、圓周磁體和旋轉機構；所述中心磁體與所述圓周磁體朝向所述靶材的磁極其二者極性相反，且所述中心磁體和所述圓周磁體磁極方向與所述靶材平面垂直；所述中心磁體與所述圓周磁體設置在所述旋轉機構上，所述旋轉機構帶動所述圓周磁體圍繞所述中心磁體做圓周運動。

進一步地，其中所述旋轉磁體為多個,多個所述旋轉磁體均勻布置。

進一步地，其中多個所述旋轉磁體等間距排布在一條直線上。

進一步地，所述固定磁極與所述中心磁體朝向所述靶材的磁極其二者極性相同。

進一步地，其中所述固定磁體與所述屏蔽罩固定連接。

進一步地，其中所述固定磁體、所述中心磁體和所述圓周磁體為長條形。

進一步地，其中所述固定陰極為多個。

進一步地，還包括冷卻裝置，所述冷卻裝置設置在所述靶材和所述旋轉陰極之間。

進一步地，其中所述冷卻裝置為非導磁材料制作。

本實用新型的目的是提供一種濺射鍍膜陰極系統，包括：旋轉磁體、固定磁體和屏蔽罩；所述屏蔽罩一側設置有開口，且所述旋轉磁體和所述固定磁體設置在所述屏蔽罩內部。

(三)有益效果

本實用新型的上述技術方案具有如下有益的技術效果：