[實用新型]一種刻蝕裝置有效
| 申請號: | 201821526847.3 | 申請日: | 2018-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN208861942U | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發明(設計)人: | 崔水煒;萬肇勇;黃登強;吳章平 | 申請(專利權)人: | 蘇州昊建自動化系統有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 馬吉蘭 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴淋裝置 刻蝕槽 輸水裝置 硅片 工位 滾輪 本實用新型 刻蝕裝置 并列設置 單獨控制 平行設置 輸送液體 軸向間隔 噴淋 平行 貫穿 | ||
本實用新型提供了一種刻蝕裝置,包括:機架、刻蝕槽、多個噴淋裝置和輸水裝置。刻蝕槽設置在機架上并包括:貫穿刻蝕槽、并位于刻蝕槽內部的多個相互平行設置的滾輪,滾輪沿軸向間隔均勻地設有多個凹槽;多個噴淋裝置固定在機架上,并且并列設置在刻蝕槽上方,刻蝕槽內具有多個硅片工位,每個硅片工位上對應一個噴淋裝置,并且多個噴淋裝置所成直線與滾輪平行,每個噴淋裝置具有噴水的第一狀態及未噴水的第二狀態;輸水裝置為噴淋裝置輸送液體,并且輸水裝置單獨控制一個噴淋裝置處于第一狀態或第二狀態。本實用新型的技術方案不會產生浪費水的現象,并且各個硅片工位均能被噴淋到位。
技術領域
本實用新型涉及硅片刻蝕技術領域,具體涉及一種刻蝕裝置。
背景技術
刻蝕技術是指半導體制造工藝,其中,濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程,是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。
現有技術中的刻蝕裝置還設置了噴淋裝置,以避免出現過刻現象。但是,這種噴淋裝置只有一個水泵和與水泵相連的總管,總管到達設備上再由支管進行分流,這樣的設置方式會產生如下問題:只要有一個硅片被入料感應器感應到,噴淋裝置便開始噴淋,這樣便會造成水的浪費;液體通過總管分流到每個硅片工位,靠近總管近的支管由于壓力充足,噴淋效果較好,但是兩側的支管由于遠離總管便會產生壓力不足、噴淋不到位現象。
實用新型內容
本實用新型的主要目的在于提供一種刻蝕裝置,以解決現有技術中的刻蝕裝置的噴淋裝置易產生浪費水的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供了一種刻蝕裝置,包括:機架、刻蝕槽、多個噴淋裝置和輸水裝置。刻蝕槽設置在機架上并包括:貫穿刻蝕槽、并位于刻蝕槽內部的多個相互平行設置的滾輪,滾輪沿軸向間隔均勻地設有多個凹槽;多個噴淋裝置固定在機架上,并且并列設置在刻蝕槽上方,刻蝕槽內具有多個硅片工位,每個硅片工位上對應一個噴淋裝置,并且多個噴淋裝置所成直線與滾輪平行,每個噴淋裝置具有噴水的第一狀態及未噴水的第二狀態;輸水裝置為噴淋裝置輸送液體,并且輸水裝置單獨控制一個噴淋裝置處于第一狀態或第二狀態。
進一步地,輸水裝置包括:水箱、多個進水管、多個進水管、多個第一控制閥和多個水泵,每個進水管的一端與水箱連通,另一端與一個噴淋裝置連通;每個第一控制閥設置在一個進水管上;每個水泵設置在機架上,并與一個噴淋裝置連通。
進一步地,噴淋裝置包括:設置在機架上的連接件和固定在連接件上并與水泵連通的噴嘴。
進一步地,輸水裝置還包括:PLC控制模塊和與PLC控制模塊電連接的入料檢測器,以使噴淋裝置處于第一狀態或第二狀態。
進一步地,輸水裝置還包括與PLC控制模塊電連接的水位檢測器。
本實用新型技術方案,具有如下優點:在實際工作過程中,滾輪帶動硅片運動至噴淋裝置下部,如果一個噴淋裝置對應的硅片工位上存在硅片,那么這個噴淋裝置既處于噴水的第一狀態;如果噴淋裝置對應的硅片工位上不存在硅片,那么噴淋裝置則處于未噴水的第二狀態。這種設置方式便可以節約很多水資源,避免了不必要的浪費。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型具體實施方式或現有技術中的技術方案,下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施方式,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中:
圖1示出了本實用新型的刻蝕裝置的整體結構示意圖。
其中,上述附圖中的附圖標記為:
1、硅片;10、機架;11、滾輪;21、水箱;22、進水管;23、水泵; 31、連接件;32、噴嘴;40、總水管。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





