[實用新型]一種刻蝕裝置有效
| 申請號: | 201821526847.3 | 申請日: | 2018-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN208861942U | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發明(設計)人: | 崔水煒;萬肇勇;黃登強;吳章平 | 申請(專利權)人: | 蘇州昊建自動化系統有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 馬吉蘭 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴淋裝置 刻蝕槽 輸水裝置 硅片 工位 滾輪 本實用新型 刻蝕裝置 并列設置 單獨控制 平行設置 輸送液體 軸向間隔 噴淋 平行 貫穿 | ||
1.一種刻蝕裝置,其特征在于,包括:
機架(10);
刻蝕槽,設置在所述機架(10)上并包括:貫穿所述刻蝕槽、并位于所述刻蝕槽內部的多個相互平行設置的滾輪(11),所述滾輪(11)沿軸向間隔均勻地設有多個凹槽;
多個噴淋裝置,固定在所述機架(10)上,并且并列設置在所述刻蝕槽上方,所述刻蝕槽內具有多個硅片工位,每個所述硅片工位上對應一個所述噴淋裝置,并且多個所述噴淋裝置所成直線與所述滾輪(11)平行,每個所述噴淋裝置具有噴水的第一狀態及未噴水的第二狀態;
輸水裝置,為所述噴淋裝置輸送液體,并且所述輸水裝置單獨控制一個所述噴淋裝置處于所述第一狀態或所述第二狀態。
2.根據權利要求1所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述輸水裝置包括:
水箱(21);
多個進水管(22),每個所述進水管(22)的一端與所述水箱(21)連通,另一端與一個所述噴淋裝置連通;
多個第一控制閥,每個所述第一控制閥設置在一個所述進水管(22)上;
多個水泵(23),每個所述水泵(23)設置在所述機架(10)上,并與一個所述噴淋裝置連通。
3.根據權利要求2所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述噴淋裝置包括:設置在所述機架(10)上的連接件(31)和固定在所述連接件(31)上并與所述水泵(23)連通的噴嘴(32)。
4.根據權利要求1所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述輸水裝置還包括:PLC控制模塊和與所述PLC控制模塊電連接的入料檢測器,以使噴淋裝置處于第一狀態或第二狀態。
5.根據權利要求4所述的刻蝕裝置,其特征在于,所述輸水裝置還包括與所述PLC控制模塊電連接的水位檢測器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州昊建自動化系統有限公司,未經蘇州昊建自動化系統有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821526847.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種高產能低壓擴散設備
- 下一篇:一種電子元件的排列裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





