[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821504048.6
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN208655648U
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

具有柵極的半導(dǎo)體襯底；

金屬接點(diǎn)，位于所述柵極一側(cè)的半導(dǎo)體襯底上；

第一多晶硅接點(diǎn)，層疊于所述金屬接點(diǎn)上；以及，

位元線，層疊于所述第一多晶硅接點(diǎn)上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底中形成有柵極溝槽，所述柵極填充于所述柵極溝槽中且頂表面低于所述柵極溝槽側(cè)壁上的半導(dǎo)體襯底的頂表面；所述半導(dǎo)體器件還包括柵介質(zhì)層和柵極隔離層，所述柵介質(zhì)層形成于所述柵極溝槽的側(cè)壁和底璧上；所述柵極隔離層填充于所述柵極溝槽中并填滿所述柵極溝槽，以將所述柵極掩埋在內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成有接觸溝槽，所述金屬接點(diǎn)填充于所述接觸溝槽中，所述金屬接點(diǎn)的頂表面不高于所述接觸溝側(cè)壁上的半導(dǎo)體襯底的頂表面。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述的半導(dǎo)體器件還包括第二多晶硅接點(diǎn)，所述第二多晶硅接點(diǎn)填充于所述接觸溝槽中，所述金屬接點(diǎn)層疊在所述第二多晶硅接點(diǎn)上。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

層間介質(zhì)層，覆蓋于所述半導(dǎo)體襯底和所述柵極上，所述層間介質(zhì)層將所述位元線掩埋在內(nèi)；以及，

導(dǎo)電插栓，形成于所述層間介質(zhì)層中，所述導(dǎo)電插栓的底表面與所述柵極另一側(cè)的半導(dǎo)體襯底的表面接觸。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底中形成有至少一個有源區(qū)，所述有源區(qū)中并排設(shè)置有兩個柵極溝槽，每個所述柵極溝槽中分別填充有所述柵極，兩個所述柵極溝槽之間的有源區(qū)中形成有第一源/漏區(qū),兩個所述柵極溝槽相背的一側(cè)的有源區(qū)中分別形成有第二源/漏區(qū)，所述金屬接點(diǎn)形成于所述第一源/漏區(qū)上方并與所述第一源/漏區(qū)電接觸，所述導(dǎo)電插栓形成于所述第二源/漏區(qū)上方并與所述第二源/漏區(qū)電接觸；所述金屬接點(diǎn)和所述第一多晶硅接點(diǎn)與所述柵極溝槽相向的側(cè)壁之間均形成有間隙，所述層間介質(zhì)層填滿所述間隙。