[實用新型]一種新型光敏二極管

有效

• 申請號: 201821501722.5
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN208835083U
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 陳明輝;吳質樸;何畏;陳強
• 申請（專利權）人: 深圳市奧倫德元器件有限公司
• 主分類號: H01L31/103
• 分類號: H01L31/103
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 梁嘉琦

本實用新型公開了一種新型光敏二極管，包括p型電極、p型半導體層、本征半導體層、n型半導體層、SiO2層和n型電極，所述p型電極、p型半導體層、本征半導體層、n型半導體層和SiO2層依次層疊設置，所述SiO2層的四周留有用于進行切割的切割道，所述n型電極穿過SiO2層連接至n型半導體層。所述SiO2層的四周留有切割道，所述切割道為無二氧化硅區域，而SiO2層為有二氧化硅區域，做出來的圖形有明顯的顏色區別，切割時能夠很好地分辨；另外，由于留有切割道，所述切割道為無二氧化硅區域，因此在切割時不會影響到SiO2層的結構，能夠保護切割區域周圍的SiO2層免遭到物理破壞，避免了因SiO2層破壞而出現漏電的情況，大大保護了光敏二極管的性能。

技術領域

本實用新型涉及二極管領域，特別是一種新型光敏二極管。

背景技術

光電探測器是一種通過光電效應探測光信號的器件，而光敏二極管就是一種典型的光電探測器。光敏二極管英文為PhotoDiode，簡稱PD，它是在反向電壓下工作的，沒有光照時，反向電流極其微弱，叫暗電流，一般幾個納安；有光照時，在反向電壓的狀態下，反向電流瞬間增大幾十微安以上，稱為光電流(亮電流)。光的強度越大，反向電流越大，光的變化引起光電二極管的電流變化，也就把光信號轉化為電信號，成為光電傳感器件。它的核心部分也是一個PN結，和普通二極管相比，在結構上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結感光面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結的結深很淺，一般幾個微米。光敏二極管廣泛用于光控開關電路，光耦及路燈開關中等，現在新型應用還有紅外對管及無觸點鍵盤等。

PD芯片最主要的參數：無光狀態下的正向VF、反向電壓VBR、反向暗電流ID和有光狀態下接反向電壓時的光電流IL。芯片要得到好的性能，與版圖設計關系甚大。版圖設計的任何一個改動都會對性能帶來較大的影響。現有的光敏二極管在切割區域上都會覆蓋有一層比較厚的二氧化硅鈍化層，而其切割基本采用砂輪切割，過程中會破壞二氧化硅鈍化層的結構，容易導致漏電，對光敏二極管的性能造成一定程度的影響。

實用新型內容

為解決上述問題，本實用新型的目的在于提供一種新型光敏二極管，能夠保護切割區域周圍的SiO2層免遭到物理破壞，避免了因SiO2層破壞而出現漏電的情況，大大保護了光敏二極管的性能。

本實用新型解決其問題所采用的技術方案是：

一種新型光敏二極管，其特征在于：包括p型電極、p型半導體層、本征半導體層、n型半導體層、SiO2層和n型電極，所述p型電極、p型半導體層、本征半導體層、n型半導體層和SiO2層依次層疊設置，所述SiO2層的四周留有用于進行切割的切割道，所述n型電極穿過SiO2層連接至n型半導體層。

進一步地，還包括隔離環和p截止區，所述隔離環和p截止區依次環繞層疊在所述n型半導體層的四周，所述SiO2層同時覆蓋在n型半導體層、隔離環和p截止區的同一側面，所述SiO2層的四周邊緣位于p截止區的表面，且與所述p截止區的四周邊緣之間留有所述的切割道。

進一步地，所述隔離環為單晶層。

進一步地，所述SiO2層設置有引線孔，所述n型電極穿過引線孔連接至n型半導體層。

進一步地，所述n型電極包括連通部和用于外接焊線的延伸部，所述連通部的一端穿過引線孔連接至n型半導體層，另一端連接至延伸部，所述延伸部設置在SiO2層的表面。

進一步地，所述引線孔設置在SiO2層的邊緣位置。

進一步地，所述延伸部的外型呈沿SiO2層的外型布置。

進一步地，所述延伸部呈方形狀設置。

進一步地，所述p型電極、p型半導體層、本征半導體層、n型半導體層和SiO2層的總體厚度為300nm。