[實用新型]一種新型光敏二極管

有效

• 申請號: 201821501722.5
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN208835083U
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 陳明輝;吳質樸;何畏;陳強
• 申請（專利權）人: 深圳市奧倫德元器件有限公司
• 主分類號: H01L31/103
• 分類號: H01L31/103
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 梁嘉琦

1.一種新型光敏二極管，其特征在于：包括p型電極(100)、p型半導體層(200)、本征半導體層(300)、n型半導體層(400)、SiO2層(500)和n型電極(600)，所述p型電極(100)、p型半導體層(200)、本征半導體層(300)、n型半導體層(400)和SiO2層(500)依次層疊設置，所述SiO2層(500)的四周留有用于進行切割的切割道(900)，所述n型電極(600)穿過SiO2層(500)連接至n型半導體層(400)。

2.根據權利要求1所述的一種新型光敏二極管，其特征在于：還包括隔離環(700)和p截止區(800)，所述隔離環(700)和p截止區(800)依次環繞層疊在所述n型半導體層(400)的四周，所述SiO2層(500)同時覆蓋在n型半導體層(400)、隔離環(700)和p截止區(800)的同一側面，所述SiO2層(500)的四周邊緣位于p截止區(800)的表面，且與所述p截止區(800)的四周邊緣之間留有所述的切割道(900)。

3.根據權利要求2所述的一種新型光敏二極管，其特征在于：所述隔離環(700)為單晶層。

4.根據權利要求1所述的一種新型光敏二極管，其特征在于：所述SiO2層(500)設置有引線孔(510)，所述n型電極(600)穿過引線孔(510)連接至n型半導體層(400)。

5.根據權利要求4所述的一種新型光敏二極管，其特征在于：所述n型電極(600)包括連通部(610)和用于外接焊線的延伸部(620)，所述連通部(610)的一端穿過引線孔(510)連接至n型半導體層(400)，另一端連接至延伸部(620)，所述延伸部(620)設置在SiO2層(500)的表面。

6.根據權利要求5所述的一種新型光敏二極管，其特征在于：所述引線孔(510)設置在SiO2層(500)的邊緣位置。

7.根據權利要求6所述的一種新型光敏二極管，其特征在于：所述延伸部(620)的外型呈沿SiO2層(500)的外型布置。

8.根據權利要求7所述的一種新型光敏二極管，其特征在于：所述延伸部(620)呈方形狀設置。

9.根據權利要求1所述的一種新型光敏二極管，其特征在于：所述p型電極(100)、p型半導體層(200)、本征半導體層(300)、n型半導體層(400)和SiO2層(500)的總體厚度為(300)nm。