[實用新型]一種陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 201821501613.3
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN208848908U
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 黃北洲
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

本實用新型公開了一種陣列基板及顯示面板。陣列基板包括：基底；第一金屬層，設置在基底上；絕緣層，設置在第一金屬層上；半導體層，設置在絕緣層上；第二金屬層，設置在半導體層上；所述第一金屬層與第二金屬層之間存在重疊區域；所述第一金屬層與第二金屬層重疊區域的面積小于第一金屬層與第二金屬層非重疊區域的面積。第一金屬層與第二金屬層重疊區域的面積小于第一金屬層與第二金屬層非重疊區域的面積，重疊區域面積減小，第一金屬層與第二金屬層之間產生的寄生電容減小，有利于顯示面板的高分辨及開口率，提升顯示面板的顯示品質。

技術領域

本方案涉及顯示技術領域，更具體的說，涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術

多媒體社會的急速進步，多半受惠于半導體元件或顯示裝置的飛躍性進步。就顯示器而言，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)已逐漸成為市場的主流。

薄膜晶體管顯示器主要由陣列基板(Thin Film Transistor Array，TFT Array)、彩色濾光基板(Color Filter)和液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成，其中陣列基板是由多個陣列排列的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)以及與每一個薄膜晶體管對應配置的像素電極(Pixel Electrode)所組成，而薄膜晶體管用來作為液晶顯示單元的開關元件。

目前陣列基板主要采用的是底柵結構(Bottom Gate TFT)，薄膜晶體管(TFT)寄生電容相對較大，不利于顯示面板的高分辨及開口率，影響顯示面板的顯示品質。

實用新型內容

有鑒于現有技術的上述缺陷，本實用新型所要解決的技術問題是提供一種寄生電容較小的陣列基板及顯示面板。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括：

基底；

第一金屬層，設置在基底上；

絕緣層，設置在第一金屬層上；

半導體層，設置在絕緣層上；

第二金屬層，設置在半導體層上；

所述第一金屬層與第二金屬層之間存在重疊區域；

所述第一金屬層與第二金屬層重疊區域的面積小于第一金屬層與第二金屬層非重疊區域的面積。

可選的，所述第一金屬層包括柵極，設置在基底上，所述第二金屬層包括源極、漏極，所述源極設置在半導體層的一側上，所述漏極設置在半導體層的另一側上；

所述柵極與源極之間存在重疊區域，柵極與漏極之間存在重疊區域；

所述源極與柵極重疊區域的面積小于源極與柵極非重疊區域的面積，所述漏極與柵極重疊區域面積小于漏極與柵極非重疊區域的面積。

本方案中，源極、漏極與柵極的重疊區域面積較大，薄膜晶體管(TFT)寄生電容相對較大，不利于顯示面板的高分辨及開口率，影響顯示面板的顯示品質。柵極位于源極和漏極之下，源極與柵極重疊區域的面積小于源極與柵極非重疊區域的面積，漏極與柵極重疊區域面積小于漏極與柵極非重疊區域的面積，重疊區域面積減小，柵極與源極、漏極之間產生的寄生電容減小，有利于顯示面板的高分辨及開口率，提升顯示面板的顯示品質。

可選的，所述源極與柵極重疊區域長度為L1，所述源極與柵極非重疊區域的長度為L2；所述漏極與柵極重疊區域長度為L3，所述漏極與柵極非重疊區域長度為L4；所述L1小于L2，所述L3小于L4。