[實用新型]一種陣列基板及顯示面板有效
| 申請號: | 201821501613.3 | 申請日: | 2018-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN208848908U | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發明(設計)人: | 黃北洲 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第一金屬層 第二金屬層 顯示面板 重疊區域 陣列基板 絕緣層 非重疊區域 半導體層 基底 本實用新型 寄生電容 面積減小 顯示品質 高分辨 開口率 減小 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括:
基底;
第一金屬層,設置在基底上;
絕緣層,設置在第一金屬層上;
半導體層,設置在絕緣層上;
第二金屬層,設置在半導體層上;
所述第一金屬層與第二金屬層之間存在重疊區域;
所述第一金屬層與第二金屬層重疊區域的面積小于第一金屬層與第二金屬層非重疊區域的面積。
2.如權利要求1所述的一種陣列基板,其特征在于,所述第一金屬層包括柵極,設置在基底上,所述第二金屬層包括源極、漏極,所述源極設置在半導體層的一側上,所述漏極設置在半導體層的另一側上;
所述柵極與源極之間存在重疊區域,柵極與漏極之間存在重疊區域;
所述源極與柵極重疊區域的面積小于源極與柵極非重疊區域的面積,所述漏極與柵極重疊區域面積小于漏極與柵極非重疊區域的面積。
3.如權利要求2所述的一種陣列基板,其特征在于,所述源極與柵極重疊區域長度小于所述源極與柵極非重疊區域的長度;所述漏極與柵極重疊區域長度小于所述漏極與柵極非重疊區域長度。
4.如權利要求3所述的一種陣列基板,其特征在于,所述源極與柵極重疊區域長度為0.5μm至3μm;所述漏極與柵極重疊區域長度的數值范圍為0.5μm至3μm。
5.如權利要求3所述的一種陣列基板,其特征在于,所述源極與柵極重疊區域長度是所述源極與柵極非重疊區域的長度的四份之一至三分之二;所述漏極與柵極重疊區域長度是所述漏極與柵極非重疊區域長度的四份之一至三分之二。
6.如權利要求2所述的一種陣列基板,其特征在于,所述柵極與源極重疊區域寬度小于所述源極的寬度;所述柵極與漏極重疊區域寬度小于所述漏極寬度。
7.如權利要求3所述的一種陣列基板,其特征在于,所述柵極與源極重疊區域的厚度和所述柵極與漏極重疊區域的厚度是所述柵極與源極、漏極非重疊區域厚度的三分之一至三分之二。
8.如權利要求3所述的一種陣列基板,其特征在于,所述源極上與柵極重疊區域的厚度大于所述源極上與柵極非重疊區域的厚度;所述漏極上與柵極重疊區域的厚度大于所述漏極上與柵極非重疊區域的厚度。
9.如權利要求8所述的一種陣列基板,其特征在于,所述源極上與柵極重疊區域的厚度是所述源極上與柵極非重疊區域的厚度的三分之一至三分之二,所述漏極上與柵極重疊區域的厚度是所述漏極上與柵極非重疊區域的厚度的三分之一至三分之二。
10.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括如權利要求1至9任意一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





