[實(shí)用新型]一種磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821490940.3
• 申請(qǐng)日: 2018-09-12
• 公開（公告）號(hào): CN208806763U
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周雪剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海歌爾泰克機(jī)器人有限公司
• 主分類號(hào): H02P6/00
• 分類號(hào): H02P6/00
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝;吳昊

1.一種磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：微控制器、驅(qū)動(dòng)器、半橋MOS管電路和電流反饋電路；

所述微控制器連接所述驅(qū)動(dòng)器，向所述驅(qū)動(dòng)器輸出控制信號(hào)；

所述驅(qū)動(dòng)器經(jīng)所述半橋MOS管電路連接電機(jī)，在所述控制信號(hào)的作用下通過所述半橋MOS管電路驅(qū)動(dòng)所述電機(jī)；

所述電流反饋電路連接在所述半橋MOS管電路與所述微控制器之間，形成所述磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路的閉環(huán)反饋。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器、所述半橋MOS管電路和所述電流反饋電路分別設(shè)置有對(duì)應(yīng)的三組，以分別控制所述電機(jī)的三相電流。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器的浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)輸入端INH與低側(cè)驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)輸入端INL分別連接所述微控制器的兩個(gè)通用輸入輸出端口，所述電流反饋電路的輸出端接至所述微控制器的模數(shù)采樣端口。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電流反饋電路包括：采樣電阻和反向差分放大電路；

所述采樣電阻串聯(lián)在所述半橋MOS管電路與地之間，所述采樣電阻與所述半橋MOS管電路連接的一端連接至所述反向差分放大電路的反相輸入端，所述采樣電阻接地的一端連接至所述反向差分放大電路的同相輸入端；所述反向差分放大電路的輸出端連接所述微控制器的模數(shù)采樣端口。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述反向差分放大電路包括運(yùn)算放大器和消峰反饋電容；所述消峰反饋電容連接在所述運(yùn)算放大器的反相輸入端和輸出端之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路還包括：偏置電路；

所述偏置電路包括電壓跟隨器，所述電壓跟隨器的輸出端連接至所述反向差分放大電路的同相輸入端，所述偏置電路通過所述電壓跟隨器為所述電流反饋電路提供偏置電壓，所述偏置電壓提高電流反饋信號(hào)的反饋精度。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述采樣電阻為高精度金屬膜采樣電阻。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電流反饋電路還包括：低通濾波電路；所述低通濾波電路連接在所述反向差分放大電路的輸出端和所述微控制器的模數(shù)采樣端口之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述低通濾波電路為RC低通濾波電路。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁場(chǎng)定向控制驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述半橋MOS管電路包括第一N-MOS管和第二N-MOS管，所述第一N-MOS管的漏極連接電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源的正極和電機(jī)線圈的一端，所述第一N-MOS管的源極連接所述驅(qū)動(dòng)器的交換節(jié)點(diǎn)SW和所述電機(jī)線圈的另一端，所述第一N-MOS管的柵極連接所述驅(qū)動(dòng)器的浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器輸出端DRVH；所述第二N-MOS管的漏極連接所述第一N-MOS管的源極，所述第二N-MOS管的源極接地，所述第二N-MOS管的柵極連接所述驅(qū)動(dòng)器的低側(cè)驅(qū)動(dòng)器輸出端DRVL。