[實用新型]一種應用于IGBT功率模塊封裝的陶瓷覆銅板裝置

有效

• 申請號: 201821488564.4
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN209056480U
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 諶容;許海東
• 申請（專利權）人: 南京晟芯半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/535;H01L23/367
• 代理公司: 北京挺立專利事務所(普通合伙) 11265
• 代理人: 倪鉅芳

1.一種應用于IGBT功率模塊封裝的陶瓷覆銅板裝置，包含散熱底板(10)、DBC板(11)、連橋(13)、IGBT芯片(12)和FWD芯片(16)、鋁線(14)，其特征在于，所述散熱底板(10)的上方設置有DBC板(11)，且DBC板(11)的內側安置有DBC板第一區域(1)，所述DBC板第二區域(2)固定于DBC板(11)的內部，且DBC板(11)的內側設置有DBC板第三區域(3)，所述DBC板第三區域(3)的內側設置有C極芯片焊接區域(6)和C極電極焊接區域(7)，所述連橋(13)固定于DBC板第三區域(3)的內部，所述DBC板(11)的內部設置有阻焊框(5)，且DBC板(11)的內側設置有DBC板第四區域(4)，所述DBC板第四區域(4)內側設置有E極焊接區(8)和E極鍵合區(9)，所述IGBT芯片(12)和FWD芯片(16)安置于DBC板第三區域(3)的內部，且IGBT芯片(12)的邊緣設置有絕緣環(15)，所述鋁線(14)固定于IGBT芯片(12)和DBC板(11)上。

2.根據權利要求1所述的一種應用于IGBT功率模塊封裝的陶瓷覆銅板裝置，其特征在于DBC板第四區域(4)表面形狀呈“L”形，通過鋁線(14)將芯片E極引到DBC板第四區域(4)的E極鍵合區(9)，其連接方式為鍵合，E極焊接區(8)連接電極，其連接方式為焊接。

3.根據權利要求1所述的一種應用于IGBT功率模塊封裝的陶瓷覆銅板裝置，其特征在于通過DBC板(11)內側的阻焊框(5)的作用，能夠對IGBT芯片(12)、FWD芯片(16)進行放置操作。

4.根據權利要求1所述的一種應用于IGBT功率模塊封裝的陶瓷覆銅板裝置，其特征在于DBC板第一區域(1)和DBC板第二區域(2)表面形狀呈“U”形，便于GE控制極的鋁線(14)鍵合，且提高了信號線和DBC的焊接良率，且區域面積較小，在一定程度上減小了電路回路中的耦合、雜散的電感與電容，并且在G極鍵合區和E極鍵合區(9)用鋁線(14)連接，可有效防止靜電擊穿，提高封裝良率和產品可靠性。

5.根據權利要求1所述的一種應用于IGBT功率模塊封裝的陶瓷覆銅板裝置，其特征在于2個相同布局的DBC板(11)用在同一模塊上，可降低物料管理難度，且在印刷、貼片、鍵合等工藝中能有效降低作業難度，提高生產效率和生產良率。

6.根據權利要求1所述的一種應用于IGBT功率模塊封裝的陶瓷覆銅板裝置，其特征在于絕緣環(15)的截面面積小于IGBT芯片(12)的截面面積，且絕緣環(15)的外側與IGBT芯片(12)的內壁相貼合。