[實用新型]晶圓清洗結構及涂膠顯影裝置

有效

• 申請號: 201821487824.6
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN208674084U
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 唐磊;楊軍;顏廷彪;葉日銓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01L21/66
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶圓清洗結構及涂膠顯影裝置。所述晶圓清洗結構包括控制器、導軌以及與所述導軌連接的基座；所述基座中具有傳感器和管道，所述管道用于向晶圓的背面噴射清洗劑，以清除所述晶圓背面的光刻膠；所述傳感器用于檢測所述基座與用于承載晶圓的承載組件之間的距離；所述控制器連接所述傳感器，用于根據所述距離判斷所述基座的位置是否偏離預設位置，若是，則控制所述基座沿所述導軌移動。本實用新型實現了對清洗結構位置自動化、智能化的監控與調整，減少了周期性維護的人力成本，提高了半導體制程的穩定性。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶圓清洗結構及涂膠顯影裝置。

背景技術

目前，半導體集成電路(IC)產業已經經歷了指數式增長。IC材料和設計中的技術進步已經產生了數代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更復雜的電路。在IC發展的過程中，功能密度(即每一芯片面積上互連器件的數量)已普遍增加，而幾何尺寸(即使用制造工藝可以產生的最小部件)卻已減小。除了IC部件變得更小和更復雜之外，在其上制造IC的晶圓變得越來越大，這就對晶圓的質量要求越來越高。

在晶圓的制造過程中，需要經過多步工藝，例如表面清洗、初次氧化、化學氣相沉積鍍膜、化學機械研磨、光刻、退火、離子注入等。其中，光刻技術是指在光照作用下，借助光阻(又名光致刻蝕劑、光刻膠)將掩膜版上的圖形轉移到晶圓上的技術。

在涂膠顯影裝置中，一般是通過旋涂將光刻膠均勻的涂覆在晶圓的正面，同時，在旋涂過程中，還會利用一清洗結構向所述晶圓的背面噴涂溶劑，以防止光刻膠自所述晶圓正面流向所述晶圓背面并在所述背面聚集。但是，在現有的涂膠顯影裝置中，對于清洗結構是否發生偏移沒有有效的監控手段，只能通過周期性維護的方式去進行檢查和校準。在周期性維護的過程中，主要是利用一個帶有校準線的玻璃片進行人工檢測：當所噴涂的溶劑落在校準線上時，則說明清洗結構的位置沒有發生偏移；若所噴涂的溶劑未落在校準線上，則說明所述清洗結構的位置發生偏移，則通過人工校準后重新進行測量、檢測。這種人工校準、測量的方式，不僅費時費力，而且通過人眼觀察的方式存在較大的主觀性，導致檢測、校準結果的可靠性降低。而且，當清洗結構發生偏移時，只能在周期性維護階段被發現，影響半導體制程的穩定進行。

因此，如何實現對清洗結構位置的實時監測及調整，確保半導體制程的穩定性，是目前亟待解決的技術問題。

實用新型內容

本實用新型提供一種清洗結構，用于解決現有技術中不能對清洗結構的位置進行實時監控并調整的問題，以確保半導體制程的穩定性。

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種晶圓清洗結構，包括控制器、導軌以及與所述導軌連接的基座；所述基座中具有傳感器和管道，所述管道用于向晶圓的背面噴射清洗劑，以清除所述晶圓背面的光刻膠；所述傳感器用于檢測所述基座與用于承載晶圓的承載組件之間的距離；所述控制器連接所述傳感器，用于根據所述距離判斷所述基座的位置是否偏離預設位置，若是，則控制所述基座沿所述導軌移動。

優選的，所述承載組件包括吸盤以及用于支撐所述吸盤的支撐柱；所述傳感器檢測的所述距離為所述支撐柱與所述基座沿水平方向上的距離。

優選的，所述控制器中存儲有所述支撐柱的半徑；所述控制器用于判斷所述距離與所述半徑之和是否超出預設范圍，若是，則確認所述基座的位置偏離預設位置。

優選的，所述預設范圍為(75±0.5)mm。

優選的，所述導軌為直線型導軌。

優選的，還包括導桿和驅動器；所述導桿的一端連接所述基座、另一端連接所述驅動器；所述驅動器用于根據所述控制器的控制信號通過所述導桿帶動所述基座沿所述導軌移動。

優選的，所述驅動器為步進馬達。